8.2.1.2.2 功率耗散和輸出電流能力
此器件的輸出電流和功率耗散能力在很大程度上取決于 PCB 設計和外部系統狀況。本節提供了一些用于計算這些值的指導。
此器件的總功率耗散由三個主要部分組成。這三個組成部分是靜態電源電流耗散、功率 MOSFET 開關損耗和功率 MOSFET RDS(on)（導電）損耗。盡管其他的一些因素可能會造成額外的功率損耗，但與這三個主要因素相比，其他因素通常并不重要。
Equation 8. PTOT = PVM + PSW + PRDS
可以根據標稱電源電壓 (VM) 和 IVM 活動模式電流規格來計算 PVM。
Equation 9. PVM = VM x IVM
Equation 10. PVM = 0.096W = 24V x 4mA
可以根據標稱電源電壓 (VM)、平均輸出電流 (IRMS)、開關頻率 (fPWM) 以及器件輸出上升 (tRISE) 和下降 (tFALL) 時間規格來計算 PSW。
Equation 11. PSW = PSW_RISE + PSW_FALL
Equation 12. PSW_RISE = 0.5 x VM x IRMS x tRISE x fPWM
Equation 13. PSW_FALL = 0.5 x VM x IRMS x tFALL x fPWM
Equation 14. PSW_RISE = 0.018W = 0.5 x 24V x 0.5A x 150ns x 20kHz
Equation 15. PSW_FALL = 0.018W= 0.5 x 24V x 0.5A x 150ns x 20kHz
Equation 16. PSW = 0.036W = 0.018W + 0.018W
可以根據器件 RDS(on) 和平均輸出電流 (IRMS) 來計算 PRDS。
Equation 17. PRDS = IRMS2 x (RDS(ON)_HS + RDS(ON)_LS)
需要注意的是，RDS(ON) 與器件的溫度密切相關。可以在“典型特性”曲線中找到一條顯示了標稱 RDS(on) 和溫度的曲線。假設器件溫度為 85°C，根據標稱溫度數據，預計 RDS(on) 會增大大約 1.25 倍。
Equation 18. PRDS = 0.219W = 0.5A2 x (350mΩ x 1.25 + 350mΩ x 1.25)
通過將功率耗散的各個組成部分相加，可以確認預計的功率耗散和器件結溫處于設計目標內。
Equation 19. PTOT = PVM + PSW + PRDS
Equation 20. PTOT= 0.351W = 0.096W + 0.036W + 0.219W
可以使用 PTOT、器件環境溫度 (TA) 和封裝熱阻 (RθJA) 來計算器件結溫。RθJA 的值在很大程度上取決于 PCB 設計以及器件周圍的銅散熱器。
Equation 21. TJ = (PTOT x RθJA) + TA
Equation 22. TJ = 97°C = (0.351W x 35°C/W) + 85°C
應確保器件結溫處于指定的工作范圍內。也可以通過其他方法根據可用的測量結果來確認器件結溫。
可以在熱性能和相關文檔中找到有關電機驅動器電流額定值和功耗的其他信息。