ZHCSJR0A October 2018 – MAY 2019 DRV8876
PRODUCTION DATA.
請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。
如果 PMODE 引腳在加電時處于高阻抗狀態，器件將鎖存至獨立半橋控制模式。此模式允許直接控制每個半橋，以支持高側慢速衰減或者驅動兩個獨立的負載。Table 5 顯示了獨立半橋模式的真值表。
在獨立半橋控制模式下，仍然可以使用電流檢測和反饋，但內部電流調節功能會被禁用，因為每個半橋都是獨立運行的。此外，如果兩個低側 MOSFET 在同時傳導電流，則經過 IPROPI 調節的輸出將是電流的總和。請參閱電流檢測和調節了解更多信息。
| nSLEEP | INx | OUTx | 說明 |
|---|---|---|---|
| 0 | X | Hi-Z | 睡眠（H 橋高阻抗） |
| 1 | 0 | L | OUTx 低側導通 |
| 1 | 1 | H | OUTx 高側導通 |