10.1 布局指南
由于 DRV887x 系列器件是能夠驅動高電流的集成式功率 MOSFET 器件，因此應特別注意布局設計和外部組件的放置。下面提供了一些設計和布局指南。
- 對于 VM 至 GND 旁路電容器、VCP 至 VM 電荷泵儲能電容器和電荷泵飛跨電容器，應使用低 ESR 陶瓷電容器。建議使用 X5R 和 X7R 類型的電容器。
- VM 電源和 VCP、CPH、CPL 電荷泵電容器應放在盡可能靠近器件的位置，以便最大限度減小回路電感。
- VM 電源大容量電容器可以是陶瓷電容器或電解電容器，但也應放在盡可能靠近器件的位置，以便最大限度減小回路電感。
- VM、OUT1、OUT2 和 PGND 承載著從電源傳輸到輸出、然后重新傳回到接地的高電流。對于這些跡線，應使用厚金屬布線（如果可行）。
- PGND 和 GND 應同時直接連接到 PCB 接地平面上。不能將它們用于相互隔離用途。
- 應通過熱通路將器件散熱焊盤連接到 PCB 頂層接地平面和內部接地平面（如果可用）上，以獲得最強的 PCB 散熱能力。
- “封裝圖”一節中為熱通路提供了建議的焊盤圖案。
- 應盡可能擴大連接到散熱焊盤的銅平面面積，以確保獲得最佳散熱效果。