ZHCSJR0A October 2018 – MAY 2019 DRV8876
PRODUCTION DATA.
請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。
即使發生了硬短路事件，每個 MOSFET 上的模擬電流限制電路也會限制器件輸出的峰值電流。
如果輸出電流超過過流閾值 IOCP 且持續時間超過 tOCP，則會禁用 H 橋中的所有 MOSFET 并將 nFAULT 引腳驅動為低電平。可以通過 IMODE 引腳配置過流響應，如Table 6 中所示。
在自動重試模式下，MOSFET 會禁用，nFAULT 引腳將在 tRETRY 的持續時間內被驅動為低電平。在 tRETRY 之后，MOSFET 會根據 EN/IN1 和 PH/IN2 引腳的狀態重新啟用。如果過流條件仍然存在，則會重復此周期，否則器件將恢復正常運行。
在鎖存模式下，會一直禁用 MOSFET 并將 nFAULT 引腳驅動為低電平，直到通過 nSLEEP 引腳或通過切斷 VM 電源重置器件為止。
在獨立半橋控制模式（PMODE = 高阻抗）中，OCP 行為略有改動。如果檢測到過流事件，將只禁用相應的半橋并將 nFAULT 引腳驅動為低電平。另一個半橋會繼續正常運行。這樣，器件就可以在驅動獨立的負載時管理獨立的故障事件。如果在兩個半橋中都檢測到過流事件，將同時禁用兩個半橋并將 nFAULT 引腳驅動為低電平。在自動重試模式下，兩個半橋共享同一個過流重試計時器。如果兩個半橋先后發生過流事件但 tRETRY 尚未過期，則第一個半橋的重試計時器會重置為 tRETRY；當此重試計時器過期之后，兩個半橋將再次同時啟用。