ZHCSY89 May 2025 DRV8376-Q1
PRODUCTION DATA
在器件存在鎖存故障的情況下,DRV8376-Q1 系列器件會(huì)進(jìn)入部分關(guān)斷狀態(tài),以幫助保護(hù)功率 MOSFET 和系統(tǒng)。
清除故障條件后,器件可以通過設(shè)置 SPI 器件上的 CLR_FLT SPI 位或向任一接口型號(hào)上的 nSLEEP 引腳發(fā)出復(fù)位脈沖來重新進(jìn)入運(yùn)行狀態(tài)。nSLEEP 復(fù)位脈沖 (tRST) 包含 nSLEEP 引腳的高電平到低電平到高電平轉(zhuǎn)換。序列的低電平周期在 tRST 時(shí)間窗口內(nèi),否則器件將啟動(dòng)完整的關(guān)斷序列。復(fù)位脈沖對(duì)任何穩(wěn)壓器、器件設(shè)置或其他功能塊都沒有影響。