ZHCSY89 May 2025 DRV8376-Q1
PRODUCTION DATA
DRV8376-Q1 中的功率損耗包括待機功率損耗、LDO 功率損耗、FET 導通和開關損耗以及二極管損耗。FET 導通損耗在 DRV8376-Q1 的總功率耗散中占主導地位。在啟動和故障情況下,輸出電流遠大于正常電流;務必將這些峰值電流以及電流持續時間考慮在內。總器件耗散是三個半橋中每個半橋耗散的總功率。器件可耗散的最大功率取決于環境溫度和散熱。請注意,RDS,ON 隨溫度升高而增加,因此隨著器件發熱,功率耗散也會增大。在設計 PCB 和散熱時,應考慮這一點。