ZHCSY89 May 2025 DRV8376-Q1
PRODUCTION DATA
DRV8376-Q1 器件包含一個以三相橋配置連接的集成式 400mΩ(高側和低側 FET 的導通狀態(tài)電阻之和)NMOS FET。倍增電荷泵可在寬工作電壓范圍內為高側 NMOS FET 提供適合的柵極偏置電壓,此外還提供 100% 占空比支持。內部線性穩(wěn)壓器為低側 MOSFET 提供柵極偏置電壓。