ZHCSY89 May 2025 DRV8376-Q1
PRODUCTION DATA
可調柵極驅動電流控制主動管理半橋中的 MOSFET,以實現壓擺率控制。MOSFET VDS 壓擺率對優化輻射發射、二極管恢復尖峰的能量和持續時間以及寄生引起的開關電壓瞬態有著關鍵影響。內部 MOSFET 的柵極電荷的速率主要決定這些壓擺率,如圖 7-10 所示。
圖 7-10 壓擺率電路實現在硬件型號中,每個半橋的壓擺率可以通過 SLEW 引腳進行調整,在 SPI 器件型號中則使用 SLEW 位進行調整。每個半橋都可以選擇為 1.1V/ns、0.5V/ns、0.25V/ns 或 0.05V/ns 的壓擺率設置。壓擺率根據 OUTx 引腳電壓的上升時間和下降時間計算得出,如圖 7-11 所示。
圖 7-11 壓擺率時序