ZHCSY89 May 2025 DRV8376-Q1
PRODUCTION DATA
| 器件 | 封裝 | 接口 |
|---|---|---|
| DRV8376S | 28 引腳 VQFN (6x5mm) | SPI |
| DRV8376H | 硬件 |
| 參數 | DRV8376S(SPI 型號) | DRV8376H(硬件型號) |
|---|---|---|
| PWM 模式設置 | PWM_MODE(4 個設置) | MODE_SR 引腳(4 個設置) |
| 壓擺率設置 | SLEW_RATE(4 個設置) | SLEW 引腳(4 個設置) |
| CSA 增益設置 | CSA_GAIN(4 個設置) | GAIN 引腳(4 個設置) |
| SDO 引腳配置:模式、電壓 | SDO_ODEN(2 個設置)、SDO_VSEL(2 個設置)、SDO_MD(2 個設置) | |
| 電流限制配置:模式、在 nFAULT 上報告、消隱時間、100% 占空比 PWM 頻率 | ILIMFLT_MODE(2 個設置)、ILIM_MODE(2 個設置)、ILIM_BLANK_SEL(4 個設置)、PWM_100_FREQ_SEL(4 個設置) | 啟用 nFAULT 上的電流限制報告,固定為滑行模式,壓擺率為 50 時消隱時間設置為 5.5μs,而所有其他壓擺率則為 1.8μs,100% 占空比輸入 PWM 周期固定為 20kHz |
| 過壓保護模式 | OVP_MODE(2 個設置)、OVP_SEL(2 個設置) | 禁用過壓保護 |
| OCP 配置:模式、電平、抗尖峰脈沖 | OCP_MODE(4 個設置)、OCP_LVL(2 個設置)、OCP_DEG(4 個設置)和 OCP_RETRY(2 個設置) | 在自動重試模式下啟用,電平固定為 4.5A 且抗尖峰脈沖時間為 1.25μ,重試時間為 5ms |
| 主動消磁:啟用、比較器閾值、比較器屏蔽時間、故障期間的行為 | EN_ASR(2 個設置)、EN_AAR(2 個設置)、AD_COMP_TH(2 個設置) | MODE_SR(2 個設置)、主動消磁比較器閾值設置為 100mA,比較器屏蔽時間設置為 5.5μs(壓擺率為 50V/μs)和 1.8μs(所有其他壓擺率)。ADMAG_TMARGIN 設置為 1.6μs,在 OCP 期間禁用主動消磁。 |
| 過熱警告 | OTW_MODE(2 個設置) | 在 nFAULT 上報告 |