ZHCSY89 May 2025 DRV8376-Q1
PRODUCTION DATA
該器件針對 MOSFET 的任何跨導(dǎo)提供全面保護。在半橋配置中,通過插入死區(qū)時間 (tdead) 來維持高側(cè)和低側(cè) MOSFET 的運行,從而避免任何擊穿電流。這是通過檢測高側(cè)和低側(cè) MOSFET 的柵源電壓 (VGS) 并保持高側(cè) MOSFET 的 VGS 已達到低于關(guān)斷電平,然后再打開同一半橋的低側(cè) MOSFET 來實現(xiàn)的,如圖 7-12 和圖 7-13 所示。