ZHCSY89 May 2025 DRV8376-Q1
PRODUCTION DATA
| 引腳 | 28 引腳 VQFN 封裝 | 類型(1) | 說明 | |
|---|---|---|---|---|
| 名稱 | DRV8376H | DRV8376S | ||
| AGND | 8 | 8 | GND | 器件模擬接地。有關連接建議,請參閱節 9.4.1。 |
| AVDD | 9 | 9 | PWR O | 3.3V 內部穩壓器輸出。在 AVDD 和 AGND 引腳之間連接一個 X5R 或 X7R、0.1μF、6.3V 的陶瓷電容器。該穩壓器可從外部拉取高達 30mA 的電流。 |
| CP | 1 | 1 | PWR O | 電荷泵輸出。在 CP 和 VM 引腳之間連接一個 X5R 或 X7R、0.1μF、16V 的陶瓷電容器。 |
| DRVOFF | 11 | 11 | I | 當該引腳拉至高電平時,功率級中的六個 MOSFET 將關斷,從而使所有輸出處于高阻態。 |
| 增益 | 21 | - | I | 電流檢測放大器增益設置。該引腳是由外部電阻器設置的 4 電平輸入引腳。 |
| GVDD | 10 | 10 | PWR O | 5V 內部穩壓器輸出。在 AVDD 和 AGND 引腳之間連接一個 X5R 或 X7R、1μF、10V 的陶瓷電容器。該穩壓器可從外部拉取高達 30mA 的電流。 |
| ILIMIT | 28 | 28 | 設置逐周期電流限制中使用的相電流閾值。 | |
| INHA | 14 | 14 | I | OUTA 的高側驅動器控制輸入。該引腳控制高側 MOSFET 的輸出。 |
| INHB | 16 | 16 | I | OUTB 的高側驅動器控制輸入。該引腳控制高側 MOSFET 的輸出。 |
| INHC | 18 | 18 | I | OUTC 的高側驅動器控制輸入。該引腳控制高側 MOSFET 的輸出。 |
| INLA | 15 | 15 | I | OUTA 的低側驅動器控制輸入。該引腳控制低側 MOSFET 的輸出。 |
| INLB | 17 | 17 | I | OUTB 的低側驅動器控制輸入。該引腳控制低側 MOSFET 的輸出。 |
| INLC | 19 | 19 | I | OUTC 的低側驅動器控制輸入。該引腳控制低側 MOSFET 的輸出。 |
| MODE_SR | 20 | - | I | PWM 輸入模式設置。該引腳是由外部電阻器設置的 4 電平輸入引腳。 |
| nFAULT | 12 | 12 | O | 故障指示器。故障狀態下拉至邏輯低電平;開漏輸出需要一個連接到 1.8V 至 5.0V 電壓的外部上拉電阻器。如果使用外部電源上拉 nFAULT,請檢驗上電時將外部電源拉至 >2.2V。 |
| nSCS | - | 23 | I | 串行芯片選擇。此引腳上的邏輯低電平支持串行接口通信。 |
| nSLEEP | 13 | 13 | I | 驅動器 nSLEEP。當該引腳為邏輯低電平時,器件進入低功耗睡眠模式。可以使用一個 20μs 至 40μs 的低電平脈沖來復位故障條件,而不進入睡眠模式。 |
| OCP | 23 | - | I | OCP 電平設置。該引腳是由外部電阻器設置的 2 電平輸入引腳(硬件器件)。 |
| OUTA | 4 | 4 | PWR O | 半橋輸出 A |
| OUTB | 5 | 5 | PWR O | 半橋輸出 B |
| OUTC | 6 | 6 | PWR O | 半橋輸出 C |
| PGND | 3、7 | 3、7 | GND | 器件電源地。有關連接建議,請參閱節 9.4.1。 |
| SCLK | - | 22 | I | 串行時鐘輸入。串行數據會移出并在此引腳上的相應上升沿和下降沿被捕捉(SPI 器件)。 |
| SDI | - | 21 | I | 串行數據輸入。在 SCLK 引腳的下降沿捕捉數據(SPI 器件)。 |
| SDO | - | 20 | O | 串行數據輸出。在 SCLK 引腳的上升沿移出數據。該引腳需要使用一個外部上拉電阻器(SPI 器件)。 |
| SLEW | 22 | - | I | 壓擺率控制設置。該引腳是由外部電阻器設置的 4 電平輸入引腳。 |
| SOA | 27 | 27 | O | 電流檢測放大器輸出。支持容性負載或低通濾波器(串聯電阻器和電容器至 GND) |
| SOB | 26 | 26 | O | 電流檢測放大器輸出。支持容性負載或低通濾波器(串聯電阻器和電容器至 GND) |
| SOC | 25 | 25 | O | 電流檢測放大器輸出。支持容性負載或低通濾波器(串聯電阻器和電容器至 GND) |
| VM | 2 | 2 | PWR I | 電源。連接到電機電源電壓;通過一個 0.1μF 電容器和一個額定電壓為 VM 的大容量電容器旁路到 PGND。TI 建議電容器的額定電壓至少是器件正常工作電壓的兩倍。 |
| VREF | 24 | 24 | PWR/I | 電流檢測放大器基準。在 VREF 和 AGND 引腳之間連接一個 X5R 或 X7R、0.1μF、6.3V 的陶瓷電容器。 |
| 散熱焊盤 | AGND | 必須連接至模擬地。 | ||