ZHCSU74 December 2023 DRV8234
PRODUCTION DATA
進(jìn)行電壓調(diào)節(jié)時(shí)，內(nèi)部電路會(huì)監(jiān)控輸出引腳之間的電壓差。該電壓差會(huì)隨著時(shí)間的推移進(jìn)行積分，以獲得平均直流電壓值。時(shí)間取決于輸出濾波器的截止頻率，該頻率可由 OUT_FLT 寄存器設(shè)置。為了獲得更好的結(jié)果，請(qǐng)選擇至少等于 PWM 頻率十倍的截止頻率設(shè)置。
直流電壓值與 I2C 寄存器 WSET_VSET 設(shè)定的目標(biāo)電機(jī)電壓進(jìn)行比較。在電壓以及速度調(diào)節(jié)模式下，將采用內(nèi)部電橋控制方案。PMODE 用于選擇 PH/EN 模式或 PWM 模式。
當(dāng)電壓或速度調(diào)節(jié)模式處于活動(dòng)狀態(tài)時(shí)，DUTY_CTRL 必須設(shè)置為 0b。在這種情況下，電橋控制在內(nèi)部進(jìn)行?？梢允褂?IN_DUTY 寄存器對(duì)占空比進(jìn)行編程。
如果平均輸出電壓低于 VSET，則內(nèi)部電橋控制輸出的占空比會(huì)提高。
如果平均輸出電壓高于 VSET，則內(nèi)部電橋控制輸出的占空比會(huì)降低。
PWM 調(diào)節(jié)期間將啟用 H 橋，以在 PWM 導(dǎo)通期間驅(qū)動(dòng)電流流過(guò)電機(jī)繞組。電流方向取決于 EN/IN1 和 PH/IN2 極性。
在 PWM 關(guān)斷期間，通過(guò)啟用該電橋的兩個(gè)低側(cè) FET 來(lái)實(shí)現(xiàn)繞組電流的再循環(huán)。
如果編程的輸出電壓 (VSET) 大于 VM 電源電壓，則器件以 100% 占空比運(yùn)行，并且禁用電壓調(diào)節(jié)特性。在此模式下，該器件的行為類似于傳統(tǒng)的 H 橋驅(qū)動(dòng)器。
IN_DUTY 寄存器在電壓調(diào)節(jié)模式下輸出內(nèi)部電橋控制方案的實(shí)際占空比。PWM_FREQ 設(shè)置用于內(nèi)部 PWM 生成的 PWM 頻率。
通過(guò)將 DUTY_CTRL 設(shè)置為 1b，用戶可以將占空比編程為 EXT_DUTY，用于外部電橋控制。要使用內(nèi)部電橋控制方案，必須將 DUTY_CTRL 設(shè)置為 0b。然后可以使用 IN_DUTY 對(duì)所需占空比進(jìn)行編程。
| 位 | 值 |
|---|---|
| 0b | 25 kHz |
| 1b | 50kHz |
在電壓調(diào)節(jié)模式下，電機(jī)轉(zhuǎn)速可能略有變化，因?yàn)殡姍C(jī)線圈電阻兩端的壓降會(huì)引入小誤差。速度調(diào)節(jié)模式通過(guò)直接調(diào)節(jié)目標(biāo)電機(jī)轉(zhuǎn)速來(lái)消除這一誤差。要啟用速度調(diào)節(jié)，必須將 REG_CTRL 位設(shè)置為 10b。