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ZHCSU74 December 2023 DRV8234

PRODUCTION DATA

封裝選項(xiàng)

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RTE|16
- MPQF149D

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

RTE|16
- QFND525B

訂購信息

6.5 電氣特性

4.5V ≤ V_VM ≤ 38V，–40°C ≤ T_J ≤ 150°C（除非另有說明）。典型值是在 T_J = 27°C 且 V_VM = 24V 時(shí)測得。

參數(shù)		測試條件	最小值	典型值	最大值	單位
電源 (VM)
I_VMQ	VM 睡眠模式電流	nSLEEP = 0V，V_VM = 24V，T_J = 27°C		0.1	1	μA
I_VM	VM 活動(dòng)模式電流	nSLEEP = 3.3V，IN1 = 3.3V，IN2 = 0V，V_VM = 24V		3.5	4	mA
t_WAKE	開通時(shí)間	nSLEEP = 1 至 I²C 就緒			410	μs
邏輯電平輸入（IN1、IN2、SDA、SCL、nSLEEP）
V_IL	輸入邏輯低電平電壓		0		0.5	V
V_IH	輸入邏輯高電平電壓		1.5		5.5	V
V_HYS	輸入滯后			160		mV
V_HYS	輸入遲滯	nSLEEP 引腳		60
I_IL	輸入邏輯低電平電流	V_I = 0V	-1		1	μA
I_IH	輸入邏輯高電流	V_I = 5V		33	100	μA
R_PD	輸入下拉電阻，INx	至 GND		100		kΩ
t_DEGLITCH	輸入邏輯抗尖峰，INx			50		ns
三電平輸入（A1、A0）
V_TIL	三電平輸入邏輯低電壓		0		0.6	V
V_TIHZ	三電平輸入高阻抗電壓		1.8	2	2.2	V
V_TIH	三電平輸入邏輯高電壓		2.7		5.5	V
R_TPD	三電平下拉電阻	至 GND		200		kΩ
I_TPU	三電平上拉電流	至 3.3 V		10		μA
開漏輸出（nFAULT、RC_OUT、SDA）
V_OL	輸出邏輯低電壓	I_OD = 5mA			0.3	V
I_OZ	輸出邏輯高電流	V_OD = 3.3 V	-1		1	μA
t_{PW_RC}	RC_OUT 脈沖寬度		30	50	70	μs
t_{PW_nFAULT}	nFAULT 低脈沖寬度	RC 計(jì)數(shù)溢出，RC_REP = 11b	30	50	70	μs
C_B	每條總線的 SDA 容性負(fù)載				400	pF
驅(qū)動(dòng)器輸出（OUTx）
R_{DS(ON)_HS}	高側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻	I_OUTx = 1A；T_J = 25°C		300	360	mΩ
R_{DS(ON)_HS}	高側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻	I_OUTx = 1A；T_J = 125°C		450	540	mΩ
R_{DS(ON)_HS}	高側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻	I_OUTx = 1A；T_J = 150°C		500	600	mΩ
R_{DS(ON)_LS}	低側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻	I_OUTx = -1A；T_J = 25°C		300	360	mΩ
R_{DS(ON)_LS}	低側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻	I_OUTx = -1A；T_J = 125°C		450	540	mΩ
R_{DS(ON)_LS}	低側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻	I_OUTx = -1A；T_J = 150°C		500	600	mΩ
V_SD	體二極管正向電壓	I_OUTx = -1A		0.8		V
t_RISE	輸出上升時(shí)間	V_OUTx 從 V_VM 的 10% 上升至 90%		200		ns
t_FALL	輸出下降時(shí)間	V_OUTx 從 V_VM 的 90% 下降至 10%		140		ns
t_PD	輸入至輸出傳播延遲	輸入至 OUTx		650		ns
t_DEAD	輸出死區(qū)時(shí)間			200		ns
電流檢測和調(diào)節(jié)（IPROPI、VREF）
V_{REF_INT}	內(nèi)部基準(zhǔn)電壓	INT_VREF = 1b	2.88	3	3.12	V
A_IPROPI	電流比例因子			1500		μA/A
A_ERR	電流鏡總誤差	I_OUT = 0.1A，V_VM ≥ 5.5V	-10		10	%
A_ERR	電流鏡總誤差	0.15A ≤ I_OUT < 0.5A，V_VM ≥ 5.5V	-7		7	%
A_ERR	電流鏡總誤差	I_OUT ≥ 0.5A，V_VM ≥ 5.5V	-5		5	%
t_OFF	電流調(diào)節(jié)關(guān)斷時(shí)間			20		μs
t_BLANK	電流檢測消隱時(shí)間	TBLANK = 0b		1.8		μs
t_BLANK	電流檢測消隱時(shí)間	TBLANK = 1b		1		μs
t_DEG	電流調(diào)節(jié)和失速檢測抗尖峰脈沖時(shí)間	TDEG = 0b		2		μs
t_DEG	電流調(diào)節(jié)和失速檢測抗尖峰脈沖時(shí)間	TDEG = 1b		1		μs
t_INRUSH	用于失速檢測的浪涌時(shí)間消隱		5		6716	ms
電壓調(diào)節(jié)
ΔV_LINE	線性調(diào)整率	5.5V ≤ V_VM ≤ 38V，V_OUT = 5V，I_OUT = 2A		±2%
ΔV_LOAD	負(fù)載調(diào)整率	V_VM = 24V，V_OUT = 5V，I_OUT = 100mA 至 2A		±1%
保護(hù)電路
V_{UVLO_VM}	VM 電源欠壓鎖定 (UVLO)	電源上升	4.15	4.3	4.45	V
V_{UVLO_VM}	VM 電源欠壓鎖定 (UVLO)	電源下降	4.05	4.2	4.35	V
V_{UVLO_HYS}	電源 UVLO 遲滯	上升至下降閾值		100		mV
t_UVLO	電源欠壓抗尖峰脈沖時(shí)間	V_VM 下降至 OUTx 已禁用		10		μs
V_RST	VM UVLO 復(fù)位	VM 下降，器件復(fù)位，無 I²C 通信			3.9	V
V_{OVP_TH}	過壓保護(hù)閾值	V_OUT - V_VM		200		mV
t_{OVP_ON}	過壓保護(hù)開通時(shí)間			10		μs
t_{OVP_OFF}	過壓保護(hù)關(guān)斷時(shí)間			250		μs
I_OCP	過流保護(hù)跳變點(diǎn)		3.7			A)
t_OCP	過流保護(hù)抗尖峰脈沖時(shí)間			2		μs
t_RETRY	重試時(shí)間			1.7		ms
T_TSD	熱關(guān)斷溫度		150	175		°C
T_HYS	熱關(guān)斷遲滯			40		°C