由于 DRV8234 已集成了能夠驅動大電流的功率 MOSFET,因此,應特別注意布局設計和外部元件放置。下面提供了一些設計和布局指南。
- VM 至 GND 旁路電容器應采用低 ESR 陶瓷電容器。建議使用 X5R 和 X7R 類型的電容器。
- VM 電源電容器應放置在盡可能靠近器件的位置,以盡可能減少環路電感。
- VM 電源大容量電容器可以是陶瓷電容器或電解電容器,但也應盡可能靠近器件放置,以最大限度減小回路電感。
- VM、OUT1、OUT2 和 GND 承載著從電源傳輸到輸出,然后重新傳回到接地的高電流。對于這些跡線,應使用厚金屬布線(如果可行)。
- 應通過熱通路將器件散熱焊盤連接到 PCB 頂層接地平面和內部接地平面(如果可用)上,以獲得最強的 PCB 散熱能力。
- “封裝圖”一節中提供了建議用于熱通路的焊盤圖案。
- 應盡可能擴大連接到散熱焊盤的銅平面面積,以確保獲得最佳散熱效果。