ZHCSU34 November 2023 DRV8214
PRODUCTION DATA
表 8-40 列出了 DRV8214_CONFIG 寄存器的存儲(chǔ)器映射寄存器。表 8-40中未列出的所有寄存器偏移地址都應(yīng)視為保留的存儲(chǔ)單元，并且不應(yīng)修改寄存器內(nèi)容。
| 偏移 | 縮寫 | 寄存器名稱 | 部分 |
|---|---|---|---|
| 9h | CONFIG0 | 配置寄存器 - 故障 (1/5)。 | 節(jié) 8.6.2.1 |
| Ah | CONFIG1 | 配置寄存器 - (2/5)。 | 節(jié) 8.6.2.2 |
| Bh | CONFIG2 | 配置寄存器 - (3/5)。 | 節(jié) 8.6.2.3 |
| Ch | CONFIG3 | 配置寄存器 - (4/5)。 | 節(jié) 8.6.2.4 |
| Dh | CONFIG4 | 配置寄存器 - (5/5)。 | 節(jié) 8.6.2.5 |
復(fù)雜的位訪問類型經(jīng)過編碼可適應(yīng)小型表單元。表 8-41 展示了適用于此部分中訪問類型的代碼。
| 訪問類型 | 代碼 | 說明 |
|---|---|---|
| 讀取類型 | ||
| R | R | 讀取 |
| 寫入類型 | ||
| W | W | 寫入 |
| 復(fù)位或默認(rèn)值 | ||
| -n | 復(fù)位后的值或默認(rèn)值 | |
表 8-42 展示了 CONFIG0。
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啟用/禁用 OCP、OVP、STALL 等各種故障
| 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 7 | EN_OUT | R/W | 0h | 0b：所有驅(qū)動(dòng)器 FET 均為高阻態(tài)。 1b：啟用驅(qū)動(dòng)器輸出。 |
| 6 | EN_OVP | R/W | 1h | 啟用 OVP 特性。默認(rèn)為 1b，上電后可設(shè)置為 0b 以禁用 OVP 特性。 有關(guān)進(jìn)一步說明，請(qǐng)參閱節(jié) 8.3.8.1。 |
| 5 | EN_STALL | R/W | 1h | 啟用失速檢測特性。通過將該位設(shè)置為 0b，可禁用失速檢測特性。 有關(guān)進(jìn)一步說明，請(qǐng)參閱節(jié) 8.3.5下的 EN_STALL 配置。 |
| 4 | VSNS_SEL | R/W | 0h | 0b：使用模擬低通濾波器對(duì)輸出電壓求平均值以進(jìn)行電壓調(diào)節(jié)。有關(guān)模擬低通濾波器的進(jìn)一步說明，請(qǐng)參閱 OUT_FLT。0b 是建議值。 1b：使用數(shù)字低通濾波器進(jìn)行電壓調(diào)節(jié)。該選項(xiàng)將占空比與 VM 相乘，得到輸出電壓。 |
| 3 | VM_GAIN_SEL | R/W | 0h | 選擇電壓范圍，以便在較小電壓的電壓調(diào)節(jié)過程中獲得更好的分辨率。 0b：電壓范圍為 0V 至 15.7V。 1b：電壓范圍為 0V 至 3.92V。 有關(guān)進(jìn)一步說明，請(qǐng)參閱節(jié) 8.3.7.2.1。 |
| 2 | CLR_CNT | R/W | 0h | 將紋波計(jì)數(shù)器復(fù)位為 0，并復(fù)位 CNT_DONE。當(dāng) RC_REP = 10b 時(shí)，也會(huì)釋放 nFAULT。CLR_CNT 將自動(dòng)復(fù)位。 |
| 1 | CLR_FLT | R/W | 0h | 當(dāng)設(shè)置為 1b 時(shí)，清除所有鎖存故障。CLR_FLT 將自動(dòng)復(fù)位。 |
| 0 | DUTY_CTRL | R/W | 0h | 當(dāng)速度調(diào)節(jié)禁用且 DUTY_CTRL 位為 1b 時(shí)，用戶可以將所需的 PWM 占空比寫入 EXT_DUTY 位。占空比范圍為 0% (000000b) 至 100% (111111b)。 |
表 8-43 展示了 CONFIG1。
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配置浪涌時(shí)間 (1/2)。
| 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 7-0 | TINRUSH_7:0 | R/W | 0h | 16 位總輸出中的下半部分 8 位輸出，用于失速檢測的浪涌時(shí)間消隱。設(shè)置失速檢測方案忽略電機(jī)浪涌電流的時(shí)間量。 有關(guān)進(jìn)一步說明，請(qǐng)參閱節(jié) 8.3.7.3.1。 |
表 8-44 展示了 CONFIG2。
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配置浪涌時(shí)間 (2/2)。
| 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 7-0 | TINRUSH_15:8 | R/W | 0h | 16 位總輸出中的上半部分 8 位輸出，用于失速檢測的浪涌時(shí)間消隱。設(shè)置失速檢測方案忽略電機(jī)浪涌電流的時(shí)間量。 有關(guān)進(jìn)一步說明，請(qǐng)參閱節(jié) 8.3.7.3.1。 |
表 8-45 展示了 CONFIG3。
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啟用/禁用 IMODE、SMODE 等各種器件模式以及消隱時(shí)間等參數(shù)。
| 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 7-6 | IMODE | R/W | 1h | 決定電流調(diào)節(jié)的行為。 有關(guān)進(jìn)一步說明，請(qǐng)參閱節(jié) 8.3.4.2下的 IMODE 配置。 |
| 5 | SMODE | R/W | 1h | 對(duì)器件對(duì)失速情況的響應(yīng)進(jìn)行編程。 有關(guān)進(jìn)一步說明，請(qǐng)參閱節(jié) 8.3.5下的 SMODE 配置。 |
| 4 | INT_VREF | R/W | 0h | 如果設(shè)置為 1b，則在內(nèi)部將 VREF 電壓設(shè)置為 500mV。如果 INT_VREF 設(shè)置為 0b，則電壓不固定。 有關(guān)進(jìn)一步說明，請(qǐng)參閱節(jié) 8.3.5。 |
| 3 | TBLANK | R/W | 0h | 設(shè)置電流檢測消隱時(shí)間。 如果設(shè)置為 0b，則 tBLANK=1.8μs。 如果設(shè)置為 1b，則 tBLANK=1.0μs。 |
| 2 | TDEG | R/W | 0h | 設(shè)置電流調(diào)節(jié)和失速檢測抗尖峰脈沖時(shí)間。 如果設(shè)置為 0b，則 tDEG=2μs。 如果設(shè)置為 1b，則 tDEG=1μs。 |
| 1 | OCP_MODE | R/W | 1h | 對(duì)器件對(duì)過流事件的響應(yīng)進(jìn)行編程。 如果設(shè)置為 0b，則器件將在發(fā)生 OCP 事件時(shí)鎖存。可以使用 CLR_FLT 清除。 如果設(shè)置為 1b，則發(fā)生 OCP 事件時(shí)，器件會(huì)在 tretry 時(shí)間后自動(dòng)重試。 有關(guān)進(jìn)一步說明，請(qǐng)參閱節(jié) 8.3.8.1。 |
| 0 | TSD_MODE | R/W | 1h | 對(duì)器件對(duì)過熱事件的響應(yīng)進(jìn)行編程。 如果設(shè)置為 0b，則器件將在發(fā)生 TSD 事件時(shí)鎖存。 如果設(shè)置為 1b，則器件將在 TJ<TTSD–THYS 時(shí)自動(dòng)重試。 |
表 8-46 展示了 CONFIG4。
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配置報(bào)告寄存器，如 RC_REP 和 STALL_REP。
| 位 | 字段 | 類型 | 復(fù)位 | 說明 |
|---|---|---|---|---|
| 7-6 | RC_REP | R/W | 0h | 決定當(dāng) RC_CNT 超過閾值時(shí)是否將 nFAULT 拉至低電平，以及當(dāng) RC_CNT 達(dá)到最大值 (216-1) 時(shí)的行為。 有關(guān)進(jìn)一步說明，請(qǐng)參閱節(jié) 8.3.6下的 RC_REP 設(shè)置。 |
| 5 | STALL_REP | R/W | 1h | 決定是否在 nFAULT 引腳上報(bào)告失速。 當(dāng)設(shè)置為 1b 時(shí)，只要檢測到失速，nFAULT 就會(huì)處于低電平。 當(dāng)設(shè)置為 0b 時(shí)，不會(huì)在 nFAULT 輸出上報(bào)告失速。 有關(guān)進(jìn)一步說明，請(qǐng)參閱節(jié) 8.3.5。 |
| 4 | CBC_REP | R/W | 1h | 當(dāng) REG_CTRL 設(shè)置為 01b 時(shí)，器件進(jìn)入逐周期電流調(diào)節(jié)模式。在該模式下，每當(dāng) H 橋進(jìn)入內(nèi)部電流調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)，器件就會(huì)發(fā)出指示。CBC_REP 位用于確定逐周期模式下器件輸出的行為。 1b：當(dāng) H 橋進(jìn)入內(nèi)部電流調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)，nFAULT 被拉至低電平。 0b：當(dāng) H 橋進(jìn)入內(nèi)部電流調(diào)節(jié)狀態(tài)時(shí)，nFAULT 不被拉至低電平。 有關(guān)進(jìn)一步說明，請(qǐng)參閱節(jié) 8.3.4.2.2。 |
| 3 | PMODE | R/W | 1h | 在相位/使能模式和 PWM 模式之間切換。 0b：PH/EN。 1b：PWM。 |
| 2 | I2C_BC | R/W | 0h | 決定 H 橋控制接口。 0b：由 INx 引腳配置電橋控制。 1b：由 I2C 位 I2C_EN_IN1 和 I2C_PH_IN2 配置電橋控制。 |
| 1 | I2C_EN_IN1 | R/W | 0h | 用于內(nèi)部電橋控制的使能/PWM 輸入位 1。當(dāng) I2C_BC=1b 時(shí)使用。當(dāng) I2C_BC=0b 時(shí)忽略。 |
| 0 | I2C_PH_IN2 | R/W | 0h | 用于內(nèi)部電橋控制的相位/PWM 輸入位 2。當(dāng) I2C_BC=1b 時(shí)使用。當(dāng) I2C_BC=0b 時(shí)忽略。 |