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ZHCSU34 November 2023 DRV8214

PRODUCTION DATA

封裝選項

7.5 電氣特性

0V ≤ V_VM ≤ 11V 且 1.65V ≤ V_VCC ≤ 11V，–40°C ≤ T_J ≤ 150°C（除非另有說明）。
典型值在 T_J = 27°C、V_VM = 5V、V_VCC = 3.3V 下測得。

參數(shù)		測試條件	最小值	典型值	最大值	單位
電源（VM、VCC）
I_VMQ	VM 睡眠模式電流	nSLEEP = 0V，V_VM = 5V，V_VCC = 3.3V，T_J = 27°C，OVP 已禁用		100	170	nA
I_{VMQ_OVP}	VM 睡眠模式電流	nSLEEP = 0V，V_VM = 5V，V_VCC = 3.3V，T_J = 27°C，OVP 已啟用		0.1	1	μA
I_VM	VM 活動模式電流	nSLEEP = 3.3V，EN/IN1 = 3.3V，PH/IN2 = 0V，V_VM = 5V，V_VCC = 3.3V		1.3	1.9	mA
I_VCCQ	VCC 睡眠模式電流	nSLEEP = 0V，V_VM = 5V，V_VCC = 3.3V，T_J = 27°C		1	3.0	nA
I_VCC	VCC 運行模式電流	nSLEEP = 3.3V，EN/IN1 = 3.3V，PH/IN2 = 0V，V_VM = 5V，V_VCC = 3.3V		1.5	2	mA
t_WAKE	開通時間	nSLEEP = 1 至 I²C 就緒			410	μs
邏輯電平輸入（EN/IN1、PH/IN2、SDA、SCL、nSLEEP）
V_IL	輸入邏輯低電平電壓		0		0.4	V
V_IH	輸入邏輯高電平電壓		1.45		5.5	V
V_HYS	輸入滯后		49			mV
I_IL	輸入邏輯低電平電流	V_I = 0V	-1		1	μA
I_IH	輸入邏輯高電流	V_I = 5V	15		35	μA
R_PD	輸入下拉電阻，INx			200		kΩ
t_DEGLITCH	輸入邏輯抗尖峰，INx			50		ns
三電平輸入（A1、A0）
V_THYS	三電平輸入邏輯低電壓		0		0.4	V
I_TIL	三電平輸入高阻抗電壓		0.75		1.05	V
I_TIZ	三電平輸入邏輯高電壓		1.45		5.5	V
R_TPD	三電平下拉電阻	至 GND		90		kΩ
I_TPU	三電平上拉電流	接至 VCC		10		μA
開漏輸出（nFAULT、RC_OUT、SDA）
V_OL	輸出邏輯低電壓	I_OD = 5mA			0.4	V
I_OZ	輸出邏輯高電流	V_OD = VCC	-1		1	μA
t_{PW_RC}	RC_OUT 脈沖寬度		30	50	70	μs
t_{PW_nFAULT}	nFAULT 低脈沖寬度	RC 計數(shù)溢出，RC_REP = 11b	30	50	70	μs
C_B	每條總線的 SDA 容性負(fù)載				400	pF
驅(qū)動器輸出（OUTx）
R_{DS(ON)_HS}	高側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻	I_OUTx = 1A；T_J = 25°C		120	155	mΩ
R_{DS(ON)_HS}	高側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻	I_OUTx = 1A；T_J = 125°C		180	220	mΩ
R_{DS(ON)_HS}	高側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻	I_OUTx = 1A；T_J = 150°C		200	250	mΩ
R_{DS(ON)_LS}	低側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻，CS_GAIN_SEL = 000b	I_OUTx = -1A；T_J = 25°C		120	145	mΩ
R_{DS(ON)_LS}	低側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻，CS_GAIN_SEL = 000b	I_OUTx = -1A；T_J = 125°C		180	220	mΩ
R_{DS(ON)_LS}	低側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻，CS_GAIN_SEL = 000b	I_OUTx = -1A；T_J = 150°C		200	250	mΩ
R_{DS(ON)_LS}	低側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻，CS_GAIN_SEL = 010b	I_OUTx = -250mA；T_J = 25°C		440	530	mΩ
R_{DS(ON)_LS}	低側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻，CS_GAIN_SEL = 010b	I_OUTx = -250mA；T_J = 125°C		660	800	mΩ
R_{DS(ON)_LS}	低側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻，CS_GAIN_SEL = 010b	I_OUTx = -250mA；T_J = 150°C		750	900	mΩ
R_{DS(ON)_LS}	低側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻，CS_GAIN_SEL = 110b	I_OUTx = -50mA；T_J = 25°C		2040	2450	mΩ
R_{DS(ON)_LS}	低側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻，CS_GAIN_SEL = 110b	I_OUTx = -50mA；T_J = 125°C		3050	3650	mΩ
R_{DS(ON)_LS}	低側(cè) MOSFET 導(dǎo)通電阻，CS_GAIN_SEL = 110b	I_OUTx = -50mA；T_J = 150°C		3450	4150	mΩ
V_SD	體二極管正向電壓	I_OUTx = -1A		0.9		V
t_RISE	輸出上升時間	V_OUTx 從 V_VM 的 10% 上升至 90%		100		ns
t_FALL	輸出下降時間	V_OUTx 從 V_VM 的 90% 下降至 10%		50		ns
t_PD	輸入至輸出傳播延遲	輸入至 OUTx		650		ns
t_DEAD	輸出死區(qū)時間			500		ns
電流檢測和調(diào)節(jié)（IPROPI、VREF）
V_{REF_INT}	內(nèi)部基準(zhǔn)電壓	INT_VREF = 1b	480	500	520	mV
A_{IPROPI_H}	電流比例因子	CS_GAIN_SEL = 000b，350mA 至 2A		244		μA/A
A_{IPROPI_M}	電流比例因子	CS_GAIN_SEL = 010b，60mA 至 350mA		1156		μA/A
A_{IPROPI_L}	電流比例因子	CS_GAIN_SEL = 110b，10mA 至 60mA		5320		μA/A
A_{ERR_H}	電流鏡總誤差，GAINSEL = 000b	I_OUT = 1A，V_IPROPI ≤ min(VM-1.25V, 3.3V)，3.3V ≤ V_VM ≤ 11 V	-5		5	%
A_{ERR_H}	電流鏡總誤差，GAINSEL = 000b	I_OUT = 1A，V_IPROPI ≤ min(VM-1.25V, 3.3V)，1.65V ≤ V_VM ≤ 3.3V	-5		5	%
A_{ERR_M}	電流鏡總誤差，GAINSEL = 010b	I_OUT = 250mA，V_IPROPI ≤ min(VM-1.25V, 3.3V)，3.3V ≤ V_VM ≤ 11V	-5		5	%
A_{ERR_M}	電流鏡總誤差，GAINSEL = 010b	I_OUT = 250mA，V_IPROPI ≤ min(VM-1.25V, 3.3V)，1.65V ≤ V_VM ≤ 3.3V	-5		5	%
A_{ERR_L}	電流鏡總誤差，GAINSEL = 110b	I_OUT = 50mA，V_IPROPI ≤ min(VM-1.25V, 3.3V)，3.3V ≤ V_VM ≤ 11V	-6.5		6.5	%
A_{ERR_L}	電流鏡總誤差，GAINSEL = 110b	I_OUT = 50mA，V_IPROPI ≤ min(VM-1.25V, 3.3V)，1.65V ≤ V_VM ≤ 3.3V	-6.5		6.5	%
t_OFF	電流調(diào)節(jié)關(guān)斷時間			20		μs
t_BLANK	電流檢測消隱時間	TBLANK = 0b		1.8		μs
t_BLANK	電流檢測消隱時間	TBLANK = 1b		1		μs
t_DEG	電流調(diào)節(jié)和失速檢測抗尖峰脈沖時間	TDEG = 0b		2		μs
t_DEG	電流調(diào)節(jié)和失速檢測抗尖峰脈沖時間	TDEG = 1b		1		μs
t_INRUSH	用于失速檢測的浪涌時間消隱		5		6716	ms
電壓調(diào)節(jié)
ΔV_LINE	線性調(diào)整率	4V ≤ V_VM ≤ 11V，V_VCC = 3.3V，V_OUT = 3.3V，I_OUT = 2A		±1%
ΔV_LOAD	負(fù)載調(diào)整率	V_VM = 5V，V_VCC = 3.3V，V_OUT = 3.3V，I_OUT = 100mA 至 2A		±3%
保護(hù)電路
V_{UVLO_VCC}	VCC 電源欠壓鎖定 (UVLO)	電源上升			1.65	V
V_{UVLO_VCC}	VCC 電源欠壓鎖定 (UVLO)	電源下降	1.30			V
V_{UVLO_HYS}	電源 UVLO 遲滯	上升至下降閾值		120		mV
t_UVLO	電源欠壓抗尖峰脈沖時間	V_VCC 下降至 OUTx 已禁用		10		μs
V_{OVP_TH}	過壓保護(hù)閾值	V_OUT - V_VM		200		mV
t_{OVP_ON}	過壓保護(hù)開通時間			13		μs
t_{OVP_OFF}	過壓保護(hù)關(guān)斷時間			250		μs
I_OCP	過流保護(hù)觸發(fā)點，CS_GAIN_SEL = 000b		4			A
I_OCP	過流保護(hù)觸發(fā)點，CS_GAIN_SEL = 010b		0.8			A
I_OCP	過流保護(hù)觸發(fā)點，CS_GAIN_SEL = 110b		0.16			A
t_OCP	過流保護(hù)抗尖峰脈沖時間			2		μs
t_RETRY	重試時間			1.7		ms
T_TSD	熱關(guān)斷溫度		157	175	193	°C
T_HYS	熱關(guān)斷遲滯			18		°C

封裝選項

機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)

訂購信息

7.5 電氣特性