ZHCUBA5 September 2023 ISO5451 , ISO5451-Q1 , ISO5452 , ISO5452-Q1 , ISO5851 , ISO5851-Q1 , ISO5852S , ISO5852S-EP , ISO5852S-Q1 , UCC21710 , UCC21710-Q1 , UCC21732 , UCC21732-Q1 , UCC21736-Q1 , UCC21739-Q1 , UCC21750 , UCC21750-Q1 , UCC21759-Q1
如果需要更高的驅動強度,可以安裝板載增強器級。若要安裝增強器級,對于低側柵極驅動器,請拆下 R47 和 R51,為 Q1 組裝 PHPT60410NYX,為 Q2 組裝 PHPT60410PYX。對于高側柵極驅動器,請拆下 R81 和 R85,為 Q4 組裝 PHPT60410NYX,為 Q5 組裝 PHPT60410PYX。也可以使用具有相同封裝的其他 BJT。
增強器級可能會阻礙軟關斷功能。要在啟用增強器級后實現軟關斷,可以使用阻尼器電路、低側驅動器的 R56/C46 組合和高側驅動器的 R89/C61 組合。如果沒有阻尼器電路,OUTL 引腳將嘗試從增強器級的基極灌入軟關斷電流。增強器級會放大此電流,導致 IGBT/SiC MOSFET 的關斷電流增大,并產生更高的 Vds 過沖。阻尼器電路中的電容器可以在軟關斷事件期間向 OUTL 引腳提供電流,這有助于解決此問題,從而使從增強器級的基極拉出的電流更低,SiC MOSFET/IGBT 的關斷電流更低。