ZHCUBA5 September 2023 ISO5451 , ISO5451-Q1 , ISO5452 , ISO5452-Q1 , ISO5851 , ISO5851-Q1 , ISO5852S , ISO5852S-EP , ISO5852S-Q1 , UCC21710 , UCC21710-Q1 , UCC21732 , UCC21732-Q1 , UCC21736-Q1 , UCC21739-Q1 , UCC21750 , UCC21750-Q1 , UCC21759-Q1
VDS 電壓檢測閾值可通過本常見問題解答中提到的以下公式計算得出:
采用 9V 內部 DESAT 檢測閾值,兩個 STTH122A 二極管(每個二極管的正向電壓為 0.6V)、475? 限流電阻、具有 2.7V 齊納電壓的齊納二極管以及 500μA 內部充電電流,Vds DESAT 檢測閾值的計算結果為 4.86V。如果需要另一個 Vds 電壓檢測閾值,使用此 UCC217xx 計算器中的“DESAT calculator”選項卡計算不同的參數如何產生不同的電壓檢測閾值。
在該 EVM 中,實施了此常見問題解答中提到的方法,以便在發生短路事件時增大 DESAT 充電電流。增大 DESAT 充電電流可以縮短電容器的消隱時間,并為 SiC MOSFET 提供更好的保護。此電路的消隱時間可通過同一常見問題解答中提到的公式計算得出,計算結果為 125ns。此消隱時間計算公式對于 VDD = 15V 有效;如果使用另一個 VDD 值,則消隱時間會有所不同。請注意,上述 UCC217xx 計算器中的 tBLK 計算結果并不準確,因為它未考慮額外的充電電流。
圖 3-5 DESAT 電路