6 兩種方法的比較

這兩種方法都能夠提供電流升壓的驅動輸出。然而，飽和 MOSFET 提供的阻抗較低，因此，基于飽和 MOSFET 的驅動器可實現的驅動電流要高得多。BJT 驅動器的阻抗相對較高，因為它們在有源區域中工作，因而與另一種方法相比，使用同等尺寸的器件時其驅動電流電平較低。此外，與高電流 MOSFET 相比，高電流 BJT 器件的可用性要低得多。在驅動類似器件時，由于 BJT 的阻抗相對較高，基于 BJT 的驅動器將比基于 MOSFET 的驅動器消耗更多的功率。相對較低的工作溫度可提高基于 MOSFET 的驅動器的可靠性。

基于 BJT 的驅動器的主要優點是電路簡單。它的元件數較少，且電源方案要簡單得多。它還允許輕松擴展在驅動器 IC 內部構建的功能，如 DESAT 保護、米勒鉗位等。對于基于 MOSFET 的驅動器，這些功能應根據需要在外部構建。由于在外部增加了 DESAT 保護和鉗位電路，柵極驅動器的總體尺寸將增加。然而，基于 MOSFET 的驅動器可提供更大的隔離靈活性，因為它只依賴于變壓器和數字隔離器。對于特定的隔離要求，有更多器件可供選擇。