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UCC27201A-Q1

正在供貨

具有 8V UVLO 和負(fù)電壓處理能力的汽車類 3A、120V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器

產(chǎn)品詳情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Automotive Propagation delay time (μs) 0.02 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 7 Iq (mA) 0.001 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -18 Features Integrated bootstrap diode, Negative Voltage Handling on Input TI functional safety category Functional Safety-Capable Driver configuration Noninverting
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HSOIC (DDA) 8 29.4 mm2 4.9 x 6 VSON (DMK) 10 16 mm2 4 x 4
  • 符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn):器件溫度等級(jí) 1
  • -40°C 至 +150°C 的結(jié)溫范圍
  • HS 引腳上的負(fù)電壓處理能力:-18V
  • 可驅(qū)動(dòng)兩個(gè)采用高側(cè)/低側(cè)配置的 N 溝道 MOSFET
  • 最大引導(dǎo)電壓:120V
  • 最大 VDD 電壓:20V
  • 片上 0.65V V F、0.65Ω RD 自舉二極管
  • 22ns 傳播延遲時(shí)間
  • 3A 灌電流,3A 拉電流輸出
  • 1000pF 負(fù)載時(shí)上升時(shí)間為 8ns,下降時(shí)間為 7ns
  • 1ns 延遲匹配
  • 用于高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器的欠壓鎖定功能
  • 采用 8 引腳 PowerPAD? SOIC-8 (DDA) 封裝
  • 符合面向汽車應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn):器件溫度等級(jí) 1
  • -40°C 至 +150°C 的結(jié)溫范圍
  • HS 引腳上的負(fù)電壓處理能力:-18V
  • 可驅(qū)動(dòng)兩個(gè)采用高側(cè)/低側(cè)配置的 N 溝道 MOSFET
  • 最大引導(dǎo)電壓:120V
  • 最大 VDD 電壓:20V
  • 片上 0.65V V F、0.65Ω RD 自舉二極管
  • 22ns 傳播延遲時(shí)間
  • 3A 灌電流,3A 拉電流輸出
  • 1000pF 負(fù)載時(shí)上升時(shí)間為 8ns,下降時(shí)間為 7ns
  • 1ns 延遲匹配
  • 用于高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器的欠壓鎖定功能
  • 采用 8 引腳 PowerPAD? SOIC-8 (DDA) 封裝

UCC27201A-Q1 高頻 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器由 120V 自舉二極管和高側(cè)/低側(cè)驅(qū)動(dòng)器組成,其中高側(cè)/低側(cè)驅(qū)動(dòng)器配有獨(dú)立輸入,可更大限度提高控制靈活性。這可在半橋式、全橋式、兩開關(guān)正激式和有源箝位正激式轉(zhuǎn)換器中提供 N 溝道 MOSFET 控制。低側(cè)和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器是獨(dú)立控制的,并在彼此的接通和關(guān)斷之間實(shí)現(xiàn)了 1ns 的延遲匹配。UCC27201A-Q1 的 HS 引腳最高能夠承受 -18V 電壓,這使得其在電源噪聲環(huán)境下的性能得到了改善。

由于在芯片上集成了一個(gè)自舉二極管,因此無需采用外部分立式二極管。高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器均配有欠壓鎖定功能,如果驅(qū)動(dòng)電壓低于規(guī)定的閾值,則強(qiáng)制將輸出置為低電平。

UCC27201A-Q1 具有 TTL 兼容閾值,并且采用帶有散熱焊盤的 8 引腳 SOIC 封裝。

UCC27201A-Q1 高頻 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器由 120V 自舉二極管和高側(cè)/低側(cè)驅(qū)動(dòng)器組成,其中高側(cè)/低側(cè)驅(qū)動(dòng)器配有獨(dú)立輸入,可更大限度提高控制靈活性。這可在半橋式、全橋式、兩開關(guān)正激式和有源箝位正激式轉(zhuǎn)換器中提供 N 溝道 MOSFET 控制。低側(cè)和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器是獨(dú)立控制的,并在彼此的接通和關(guān)斷之間實(shí)現(xiàn)了 1ns 的延遲匹配。UCC27201A-Q1 的 HS 引腳最高能夠承受 -18V 電壓,這使得其在電源噪聲環(huán)境下的性能得到了改善。

由于在芯片上集成了一個(gè)自舉二極管,因此無需采用外部分立式二極管。高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器均配有欠壓鎖定功能,如果驅(qū)動(dòng)電壓低于規(guī)定的閾值,則強(qiáng)制將輸出置為低電平。

UCC27201A-Q1 具有 TTL 兼容閾值,并且采用帶有散熱焊盤的 8 引腳 SOIC 封裝。

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設(shè)計(jì)和開發(fā)

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計(jì)算工具

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支持的產(chǎn)品和硬件

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產(chǎn)品
半橋驅(qū)動(dòng)器
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設(shè)計(jì)指南: PDF
原理圖: PDF
封裝 引腳 CAD 符號(hào)、封裝和 3D 模型
HSOIC (DDA) 8 Ultra Librarian
VSON (DMK) 10 Ultra Librarian

訂購和質(zhì)量

包含信息:
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  • MSL 等級(jí)/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時(shí)基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續(xù)可靠性監(jiān)測(cè)
包含信息:
  • 制造廠地點(diǎn)
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所有內(nèi)容均由 TI 和社區(qū)貢獻(xiàn)者按“原樣”提供,并不構(gòu)成 TI 規(guī)范。請(qǐng)參閱使用條款。

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