主頁(yè) 電源管理 柵極驅(qū)動(dòng)器 半橋驅(qū)動(dòng)器

UCC27200-Q1

正在供貨

具有 8V UVLO 和 CMOS 輸入的汽車(chē)類(lèi) 3A、120V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器

產(chǎn)品詳情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 8 Input supply voltage (max) (V) 17 Peak output current (A) 3 Operating temperature range (°C) -40 to 150 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Automotive Propagation delay time (μs) 0.02 Rise time (ns) 8 Fall time (ns) 7 Iq (mA) 0.001 Input threshold CMOS Channel input logic CMOS Switch node voltage (V) -18 Features Integrated bootstrap diode, Negative Voltage Handling on Input TI functional safety category Functional Safety-Capable Driver configuration Noninverting
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HSOIC (DDA) 8 29.4 mm2 4.9 x 6
  • 符合面向汽車(chē)應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)：器件溫度等級(jí) 1
  • -40°C 至 +150°C 的結(jié)溫范圍
  • 可驅(qū)動(dòng)兩個(gè)采用高側(cè)和低側(cè)配置的 N 溝道 MOSFET
  • 最大引導(dǎo)電壓：120V
  • 最大 VDD 電壓：20V
  • 片上 0.65V V F、0.65Ω RD 自舉二極管
  • 22ns 傳播延遲時(shí)間
  • 3A 灌電流，3A 拉電流輸出
  • 1000pF 負(fù)載時(shí)上升時(shí)間為 8ns，下降時(shí)間為 7ns
  • 1ns 延遲匹配
  • 符合面向汽車(chē)應(yīng)用的 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)：器件溫度等級(jí) 1
  • -40°C 至 +150°C 的結(jié)溫范圍
  • 可驅(qū)動(dòng)兩個(gè)采用高側(cè)和低側(cè)配置的 N 溝道 MOSFET
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  • 1000pF 負(fù)載時(shí)上升時(shí)間為 8ns，下降時(shí)間為 7ns
  • 1ns 延遲匹配

UCC27200-Q1 高頻 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器由 120V 自舉二極管和高側(cè)/低側(cè)驅(qū)動(dòng)器組成，其中高側(cè)/低側(cè)驅(qū)動(dòng)器配有獨(dú)立輸入，可更大限度提高控制靈活性。這可在半橋轉(zhuǎn)換器、全橋轉(zhuǎn)換器、雙開(kāi)關(guān)正激轉(zhuǎn)換器和有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器中實(shí)現(xiàn) N 溝道 MOSFET 控制。低側(cè)和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器是獨(dú)立控制的，并在彼此的接通和關(guān)斷之間實(shí)現(xiàn)了 1ns 的延遲匹配。

由于在芯片上集成了一個(gè)自舉二極管，因此無(wú)需采用外部分立式二極管。高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器均配有欠壓鎖定功能，如果驅(qū)動(dòng)電壓低于規(guī)定的閾值，則強(qiáng)制將輸出置為低電平。

UCC27200-Q1 具有高抗噪 CMOS 輸入閾值。

該器件采用 8 引腳 SO PowerPAD™ (DDA) 封裝。

UCC27200-Q1 高頻 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器由 120V 自舉二極管和高側(cè)/低側(cè)驅(qū)動(dòng)器組成，其中高側(cè)/低側(cè)驅(qū)動(dòng)器配有獨(dú)立輸入，可更大限度提高控制靈活性。這可在半橋轉(zhuǎn)換器、全橋轉(zhuǎn)換器、雙開(kāi)關(guān)正激轉(zhuǎn)換器和有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器中實(shí)現(xiàn) N 溝道 MOSFET 控制。低側(cè)和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器是獨(dú)立控制的，并在彼此的接通和關(guān)斷之間實(shí)現(xiàn)了 1ns 的延遲匹配。

由于在芯片上集成了一個(gè)自舉二極管，因此無(wú)需采用外部分立式二極管。高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動(dòng)器均配有欠壓鎖定功能，如果驅(qū)動(dòng)電壓低于規(guī)定的閾值，則強(qiáng)制將輸出置為低電平。

UCC27200-Q1 具有高抗噪 CMOS 輸入閾值。

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設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)

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