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LM2101

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具有 8V UVLO 的 107V、0.5A/0.8A 半橋柵極驅動器

產品詳情

Bootstrap supply voltage (max) (V) 107 Power switch IGBT, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 9 Input supply voltage (max) (V) 18 Peak output current (A) 0.65 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Fall time (ns) 18 Iq (mA) 0.0333 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Noninverting Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual inputs
Bootstrap supply voltage (max) (V) 107 Power switch IGBT, MOSFET Input supply voltage (min) (V) 9 Input supply voltage (max) (V) 18 Peak output current (A) 0.65 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 Rating Catalog Fall time (ns) 18 Iq (mA) 0.0333 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Noninverting Switch node voltage (V) -1 Driver configuration Dual inputs
SOIC (D) 8 29.4 mm2 4.9 x 6 WSON (DSG) 8 4 mm2 2 x 2
  • 可驅動兩個采用半橋配置的 N 溝道 MOSFET
  • 8-V GVDD 上的典型欠壓鎖定
  • BST 上的最大絕對電壓為 107V
  • SH 上的 –19.5V 絕對最大負瞬態電壓處理
  • 0.5A/0.8A 峰值拉電流/灌電流
  • 115ns 典型傳播延遲
  • 可驅動兩個采用半橋配置的 N 溝道 MOSFET
  • 8-V GVDD 上的典型欠壓鎖定
  • BST 上的最大絕對電壓為 107V
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  • 0.5A/0.8A 峰值拉電流/灌電流
  • 115ns 典型傳播延遲

LM2101 是一款緊湊型高壓柵極驅動器，專為驅動采用同步降壓或半橋配置的高側和低側 N 溝道 MOSFET 而設計。

SH 引腳具有–1V 直流和 –19.5V 瞬態負電壓處理能力，可提升高噪聲應用中的系統穩健性。 該器件采用小型熱增強型 8 引腳 WSON 封裝，可將驅動器放置在更靠近電機相位的位置，從而改善 PCB 布局。 LM2101 還采用與業界通用引腳排列兼容的 8 引腳 SOIC 封裝。在低側和高側電源軌上均提供欠壓鎖定 (UVLO) 功能，以在上電和斷電期間提供保護。

LM2101 是一款緊湊型高壓柵極驅動器，專為驅動采用同步降壓或半橋配置的高側和低側 N 溝道 MOSFET 而設計。

SH 引腳具有–1V 直流和 –19.5V 瞬態負電壓處理能力，可提升高噪聲應用中的系統穩健性。 該器件采用小型熱增強型 8 引腳 WSON 封裝，可將驅動器放置在更靠近電機相位的位置，從而改善 PCB 布局。 LM2101 還采用與業界通用引腳排列兼容的 8 引腳 SOIC 封裝。在低側和高側電源軌上均提供欠壓鎖定 (UVLO) 功能，以在上電和斷電期間提供保護。
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LM2105EVM — LM2105 具有集成式自舉二極管的 105V 半橋驅動器評估模塊

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借助?PSpice for TI 的設計和仿真環境及其內置的模型庫，您可對復雜的混合信號設計進行仿真。創建完整的終端設備設計和原型解決方案，然后再進行布局和制造，可縮短產品上市時間并降低開發成本。?

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