LMG1210
- 工作頻率高達 50MHz
- 10ns 典型傳播延遲
- 3.4ns 高側至低側匹配
- 4ns 最小脈寬
- 兩個控制輸入選項
- 具有可調死區時間的單個 PWM 輸入
- 獨立輸入模式
- 1.5A 峰值拉電流和 3A 峰值灌電流
- 外部自舉二極管可實現靈活性
- 內部 LDO 可實現對電壓軌的適應能力
- 高 300V/ns CMTI
- HO 到 LO 的電容小于 1pF
- UVLO 和過熱保護
- 低電感 WQFN 封裝
LMG1210 是一款 200V 半橋 MOSFET 和氮化鎵場效應晶體管 (GaN FET) 驅動器,專為要求超高頻率、高效率的 應用 而開發, 具有 可調節死區時間功能、極短的傳播延遲以及 3.4ns 高側/低側匹配,以優化系統效率。此部件還 具備 一個內部 LDO,可確保 5V 的柵極驅動器電壓(而與電源電壓無關)。
為了在各種應用中獲得 最佳性能,LMG1210 允許設計人員選擇最佳的自舉二極管對高側自舉電容器充電。當低側不導通時,內部開關會關閉自舉二極管,以有效防止高側自舉過度充電,并將反向恢復電荷降至最低。GaN FET 上額外的寄生電容被最小化至小于 1pF,以減少額外的開關損耗。
該 LMG1210 具有 兩種控制輸入模式:獨立輸入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中,每個輸出都由專用輸入獨立控制。在 PWM 模式下,兩個補償輸出信號由單個輸入產生,用戶可將每個沿的死區時間從 0ns 調節為 20ns。LMG1210 可在 –40°C 至 125°C 的寬溫度范圍內運行,并采用低電感 WQFN 封裝。
技術文檔
未找到結果。請清除搜索并重試。
查看全部 19 設計和開發
如需其他信息或資源,請點擊以下任一標題進入詳情頁面查看(如有)。
評估板
LMG1210EVM-012 — LMG1210 半橋開環評估模塊
LMG1210EVM-012 旨在評估適用于 GaN FET 的 LMG1210 兆赫茲級 200V 半橋驅動器。該 EVM 包含兩個配置在同一半橋中的氮化鎵 FET,它們由單個 LMG1210 驅動。該板上沒有控制器。
用戶指南: PDF
模擬工具
PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設計和仿真工具
PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設計和仿真環境。此功能齊全的設計和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費使用,包括業內超大的模型庫之一,涵蓋我們的模擬和電源產品系列以及精選的模擬行為模型。
借助?PSpice for TI 的設計和仿真環境及其內置的模型庫,您可對復雜的混合信號設計進行仿真。創建完整的終端設備設計和原型解決方案,然后再進行布局和制造,可縮短產品上市時間并降低開發成本。?
在?PSpice for TI 設計和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
借助?PSpice for TI 的設計和仿真環境及其內置的模型庫,您可對復雜的混合信號設計進行仿真。創建完整的終端設備設計和原型解決方案,然后再進行布局和制造,可縮短產品上市時間并降低開發成本。?
在?PSpice for TI 設計和仿真工具中,您可以搜索 TI (...)
參考設計
PMP22951 — 具有有源鉗位的 54V、3kW 相移全橋參考設計
該參考設計是一款基于 GaN 的 3kW 相移全橋 (PSFB) 轉換器。此設計在次級側使用了有源鉗位來最大限度地減小同步整流器 (SR) MOSFET 上的電壓應力,從而支持使用具有更優品質因數 (FOM) 的較低電壓等級 MOSFET。PMP22951 在初級側使用 30mΩ GaN,并在同步整流器中使用 100V、1.8mΩ GaN。通過使用 TMS320F280049C 實時微控制器,可實現 PSFB 控制。PSFB 轉換器在 140kHz 開關頻率下運行,可在 385V 輸入下實現 97.45% 的峰值效率。
測試報告: PDF
參考設計
TIDA-01634 — 適用于高速直流/直流轉換器的多兆赫 GaN 功率級參考設計
此參考設計基于 LMG1210 半橋 GaN 驅動器和 GaN 功率的高電子遷移率晶體管 (HEMT),實現了一種多兆赫功率級設計。憑借高效的開關和靈活的死區時間調節,該設計可以顯著提高功率密度,同時實現良好的效率和較寬的控制帶寬。此功率級設計可廣泛應用于眾多需要快速響應的空間受限型應用,例如 5G 電信電源、服務器和工業電源。
| 封裝 | 引腳 | CAD 符號、封裝和 3D 模型 |
|---|---|---|
| WQFN (RVR) | 19 | Ultra Librarian |
訂購和質量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件標識
- 引腳鍍層/焊球材料
- MSL 等級/回流焊峰值溫度
- MTBF/時基故障估算
- 材料成分
- 鑒定摘要
- 持續可靠性監測
包含信息:
- 制造廠地點
- 封裝廠地點
推薦產品可能包含與 TI 此產品相關的參數、評估模塊或參考設計。