ZHCAAE6B November 2018 – June 2021 DRV10866 , DRV10963 , DRV10964 , DRV10970 , DRV10974 , DRV10975 , DRV10983 , DRV10983-Q1 , DRV10987 , DRV11873 , DRV3205-Q1 , DRV3220-Q1 , DRV3245E-Q1 , DRV3245Q-Q1 , DRV8301 , DRV8302 , DRV8303 , DRV8304 , DRV8305 , DRV8305-Q1 , DRV8306 , DRV8307 , DRV8308 , DRV8312 , DRV8313 , DRV8320 , DRV8320R , DRV8323 , DRV8323R , DRV8332 , DRV8343-Q1 , DRV8350 , DRV8350R , DRV8353 , DRV8353R , DRV8412 , DRV8701 , DRV8702-Q1 , DRV8702D-Q1 , DRV8703-Q1 , DRV8703D-Q1 , DRV8704 , DRV8711 , DRV8800 , DRV8801 , DRV8801-Q1 , DRV8801A-Q1 , DRV8802 , DRV8802-Q1 , DRV8803 , DRV8804 , DRV8805 , DRV8806 , DRV8811 , DRV8812 , DRV8813 , DRV8814 , DRV8816 , DRV8818 , DRV8821 , DRV8823 , DRV8823-Q1 , DRV8824 , DRV8824-Q1 , DRV8825 , DRV8828 , DRV8829 , DRV8830 , DRV8832 , DRV8832-Q1 , DRV8833 , DRV8833C , DRV8834 , DRV8835 , DRV8836 , DRV8837 , DRV8837C , DRV8838 , DRV8839 , DRV8840 , DRV8841 , DRV8842 , DRV8843 , DRV8844 , DRV8846 , DRV8847 , DRV8848 , DRV8850 , DRV8860 , DRV8870 , DRV8871 , DRV8871-Q1 , DRV8872 , DRV8872-Q1 , DRV8873-Q1 , DRV8880 , DRV8881 , DRV8884 , DRV8885 , DRV8886 , DRV8886AT , DRV8889-Q1
6.3.1 開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)
如圖 6-10 所示，開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)是高側(cè) MOSFET 的源極引腳和低側(cè) MOSFET 的漏極引腳之間的連接。該節(jié)點(diǎn)是最終連接到負(fù)載（在此應(yīng)用中是一個(gè)電機(jī)）的網(wǎng)絡(luò)。因?yàn)樵摼W(wǎng)絡(luò)上的信號(hào)具有高頻、大電流特性，開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)是半橋配置中需要布線的關(guān)鍵信號(hào)。圖 6-8 中所示電路具有許多由 PCB 和功率 MOSFET 引起的非理想寄生效應(yīng)。圖 6-9 展示了這些主要寄生效應(yīng)中的一部分，它們是引發(fā)“開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴”現(xiàn)象的主要原因。
圖 6-9 半橋寄生效應(yīng)開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴是開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)上由于 PCB 和功率 MOSFET 的寄生效應(yīng)而產(chǎn)生的 LC 振蕩。開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴會(huì)導(dǎo)致 EMI 并產(chǎn)生過(guò)沖和下沖電壓，這些值會(huì)超出 MOSFET 漏源電壓和柵極驅(qū)動(dòng)器引腳的絕對(duì)最大額定值。此外，還會(huì)降低功率級(jí)的效率。
可通過(guò)外部措施和系統(tǒng)調(diào)整（降低壓擺率、使用外部緩沖器等）來(lái)解決開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴問(wèn)題，但基本合理的布局可以解決許多這樣的主要問(wèn)題。圖 6-10 的布局示例中顯示的設(shè)計(jì)可最大限度地降低高側(cè) MOSFET 的源極與低側(cè) MOSFET 的漏極之間的電感。較好的做法是盡可能縮短覆銅平面連接的長(zhǎng)度并增加其寬度，并且采用具有極小寄生電感的 MOSFET 封裝。
圖 6-10 開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)布局示例