NESY038C January 2021 – February 2024 AMC1300 , AMC1302 , AMC1302-Q1 , AMC1305M25-Q1 , AMC1311 , AMC1311-Q1 , AMC131M03-Q1 , AMC1336 , AMC1336-Q1 , AMC1350 , AMC1411 , AMC3301 , AMC3301-Q1 , AMC3330 , AMC3330-Q1 , AMC3336 , AMC3336-Q1 , ISOW1044 , ISOW1412 , ISOW7741 , ISOW7840 , ISOW7841 , ISOW7841A-Q1 , ISOW7842 , ISOW7843 , ISOW7844 , UCC12040 , UCC12041-Q1 , UCC12050 , UCC12051-Q1 , UCC14130-Q1 , UCC14131-Q1 , UCC14140-Q1 , UCC14141-Q1 , UCC14240-Q1 , UCC14241-Q1 , UCC14340-Q1 , UCC14341-Q1 , UCC15240-Q1 , UCC15241-Q1 , UCC21222-Q1 , UCC21530-Q1 , UCC21540 , UCC21710-Q1 , UCC21750-Q1 , UCC23513 , UCC25800-Q1 , UCC5870-Q1
隔離方式
IC 是在現代高電壓系統中實現隔離所採用的基本要素，因為其可封鎖 DC 與低頻率 AC 電流，並允許電源、類比訊號或高速數位訊號以跨絕緣層傳輸。圖 4 展示三種常用的半導體技術：光學 (光耦合器)、電場訊號傳輸 (電容) 及磁場耦合 (變壓器)。TI 隔離 IC 運用先進電容隔離技術，以及專有的整合式平面變壓器。TI 應用其在封裝開發、隔離與處理技術中的領導地位，實現一些最高等級的整合、性能與可靠性。
圖 4 半導體隔離技術：光耦合器 (a)；電容式 (b)；變壓器
(c)。每種技術都需仰賴一個或多個半導體絕緣材質 (如表 3 中所列)，以達成所需隔離性能等級。在給定距離下隔離相似電壓時，高介電強度材質較為有效。
| 絕緣材質 | 介電質強度 |
|---|---|
| 空氣 | 約為 1 VRMS/μm |
| 環氧樹脂 | 約為 20 VRMS/μm |
| 充填氧化矽的模封材料 | 約為 100 VRMS/μm |
| 聚醯亞胺 | 約為 300 VRMS/μm |
| SiO2 | 約為 500 VRMS/μm |