電容隔離器常運(yùn)用在低電壓類比訊號傳輸、數(shù)位訊號傳輸或需要有限功率傳輸 (<100 μW) 的應(yīng)用，而整合式 IC 磁隔離則具有需要高頻率 DC/DC 功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用的優(yōu)點(diǎn)。耦合 IC 變壓器隔離的一個特殊優(yōu)勢是能夠傳輸數(shù)百毫瓦以上的功率，因此在大部分的應(yīng)用領(lǐng)域，可省去對二次側(cè)偏壓電源的需求。它也可以使用磁隔離來傳送高頻訊號。在需要同時傳送電力和數(shù)據(jù)的系統(tǒng)中，您可以使用相同的變壓器繞組線圈來滿足電力和訊號需求，如圖 8 中所示。

TI 在磁隔離方面採用專用多晶片模組方法，並將高性能平面變壓器和隔離功率級與專用控制器晶粒共同封裝。TI 可以使用高性能鐵氧體磁芯來構(gòu)建這些變壓器，以提高耦合及變壓器效率，或者在應(yīng)用只需要適度的功率傳輸時，使用空芯來節(jié)省成本並減少複雜性。

圖 9 是一個有關(guān)雙晶粒多晶片模組採用特殊控制機(jī)制、時脈機(jī)制與高 Q 整合式平面變壓器，以提供低輻射放射和高效率，同是也提供優(yōu)異熱性能的範(fàn)例。變壓器拓?fù)淇赡馨x用的上下鐵氧體板，並將 TI 專屬薄膜聚合物層壓陣列做為絕緣層。圖 9 中的變壓器配置為包含在兩個平行鐵氧體板間相夾聚合物層壓中的變壓器繞組範(fàn)例。

在許多應(yīng)用中，跨隔離層所需的功率量適中 (sub-100 mW)。對於這些應(yīng)用，TI 已開發(fā)出一種適用於製造高性能空芯變壓器的技術(shù)。TI 的空芯變壓器類似於圖 9中所示之技術(shù)，不過沒有鐵氧體板。

TI 的所有變壓器 (空芯和鐵氧體鍍層) 均採用屏蔽技術(shù)來提供更好的輻射 EMI 性能。若在封裝層級採用 EMI 緩解技術(shù)，可減少為符合傳導(dǎo)和輻射放射標(biāo)準(zhǔn)限制的額外基板層級濾波。

單一隔離解決方案可能不適合所有應(yīng)用，因此我們必須了解不同參數(shù)與規(guī)格，並在設(shè)計(jì)優(yōu)缺點(diǎn)中取得平衡。

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