電容性隔離技術(shù)以介電質(zhì)間 AC 訊號(hào)傳輸為基礎(chǔ)，運(yùn)用開關(guān)鍵控、相移鍵控、邊緣式傳輸或其他類型的高階調(diào)變等機(jī)制，並由電容器以固有方式封鎖 DC 訊號(hào)。圖 5 說明透過串聯(lián)電容隔離層使用差動(dòng)傳訊的一組非常基本的調(diào)變器/解調(diào)器配對(duì)。這些電容器可以傳送數(shù)據(jù)和非常有限的功率。圖 5 顯示了用於構(gòu)建隔離層的兩個(gè)電容器，但根據(jù)產(chǎn)品要求和所需的隔離額定值，一個(gè)電容器可能就足以輕鬆?wèi)?yīng)對(duì)。

串聯(lián)電容隔離器為一種多晶片模組，由發(fā)射器 (左側(cè)晶粒) 與接收器 (右側(cè)晶粒) 組成。如 圖 6 所示，各晶粒都透過專屬電容器來提供高電壓隔離與觸電保護(hù)，並可滿足等同於兩個(gè)基本隔離層級(jí)的強(qiáng)化型絕緣要求。

您可將多個(gè)電容通道置入單一 IC 封裝 (兩側(cè)皆可為接收器或發(fā)射器)，以實(shí)現(xiàn)雙向訊號(hào)通訊。電容隔離器具有低傳播延遲，可以超過 150 Mbps 的速率進(jìn)行資料傳輸，消耗的偏壓電流也較光耦合器低，但隔離邊界各側(cè)仍需不同偏壓供應(yīng)電壓。

TI 的電容隔離器採(cǎi)用 SiO₂ 介電質(zhì) (請(qǐng)參閱 圖 7) 建構(gòu)，而此介電質(zhì)在表 3所列材質(zhì)中具有最高的介電強(qiáng)度。除了擁有比其他隔離器更高的介電強(qiáng)度外，SiO₂ 也是一種無機(jī)材質(zhì)，因此在各種濕度與溫度下皆非常穩(wěn)定。TI 專有的多層電容器與多層鈍化方法可減少任何單一層的高電壓性能依存性，進(jìn)而提升隔離器品質(zhì)與可靠性。此技術(shù)支援 2 kV_RMS工作電壓 (V_IOWM)，可承受 7.5 kV_RMS隔離電壓 (V_ISO)，以及 12.8 kV_PK 突波電壓能力。

隔離器必須擁有比非隔離式元件長(zhǎng)出許多的使用壽命，才能防止電路發(fā)生故障。TI 嚴(yán)格遵照 表 2 中列出的 IEC 標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測(cè)試。