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UCC21222-Q1

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具有禁用引腳、可編程死區時間和 8V UVLO 的汽車級 3.0kVrms 4A/6A 雙通道隔離式柵極驅動器

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UCC21330-Q1 正在供貨 具有禁用邏輯和可編程死區時間的汽車級 3kVRMS 4A/6A 雙通道柵極驅動器 Improved CMTI, faster VDD startup

產品詳情

Number of channels 2 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 700 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Output VCC/VDD (max) (V) 18 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (μs) 0.025 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 TI functional safety category Functional Safety-Capable
Number of channels 2 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 700 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 Peak output current (source) (typ) (A) 4 Peak output current (sink) (typ) (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Output VCC/VDD (max) (V) 18 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (μs) 0.025 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 8 TI functional safety category Functional Safety-Capable
SOIC (D) 16 59.4 mm2 9.9 x 6
  • 通用:雙路低側、雙路高側或半橋驅動器
  • 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性:
    • 器件溫度 1 級
    • 器件 HBM ESD 分類等級 H2
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
  • 結溫范圍:–40°C 至 150°C
  • 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流輸出
  • 共模瞬態抗擾度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 高達 25V 的 VDD 輸出驅動電源
    • 8V VDD UVLO
  • 開關參數:
    • 33ns 典型傳播延遲
    • 5ns 最大脈寬失真
    • 10μs 最大 VDD 上電延遲
  • 針對所有電源的 UVLO 保護
  • 可針對電源時序快速禁用
  • 通用:雙路低側、雙路高側或半橋驅動器
  • 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性:
    • 器件溫度 1 級
    • 器件 HBM ESD 分類等級 H2
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
  • 結溫范圍:–40°C 至 150°C
  • 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流輸出
  • 共模瞬態抗擾度 (CMTI) 大于 125V/ns
  • 高達 25V 的 VDD 輸出驅動電源
    • 8V VDD UVLO
  • 開關參數:
    • 33ns 典型傳播延遲
    • 5ns 最大脈寬失真
    • 10μs 最大 VDD 上電延遲
  • 針對所有電源的 UVLO 保護
  • 可針對電源時序快速禁用

UCC21222-Q1 器件是具有可編程死區時間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅動器。該器件在極端溫度條件下表現出一致的性能和穩定性。該器件采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流來驅動功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。

UCC21222-Q1 器件可配置為兩個低側驅動器、兩個高側驅動器或一個半橋驅動器。該器件的 5ns 延遲匹配性能允許并聯兩個輸出,能夠在重負載條件下將驅動強度提高一倍,而無內部擊穿風險。

輸入側通過一個 3.0kVRMS 隔離層與兩個輸出驅動器相隔離,其共模瞬態抗擾度 (CMTI) 的最小值為 125V/ns。

可通過電阻器進行編程的死區時間幫助您調整系統限制的死區時間,從而提高效率并防止輸出重疊。其他保護特性包括:當 DIS 設置為高電平時,通過禁用功能同時關閉兩路輸出;集成的抗尖峰濾波器可抑制短于 5ns 的輸入瞬變;以及在輸入和輸出引腳上對高達 -2V 的尖峰進行 200ns 的負電壓處理。所有電源都有 UVLO 保護。

UCC21222-Q1 器件是具有可編程死區時間和寬溫度范圍的隔離式雙通道柵極驅動器。該器件在極端溫度條件下表現出一致的性能和穩定性。該器件采用 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流來驅動功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶體管。

UCC21222-Q1 器件可配置為兩個低側驅動器、兩個高側驅動器或一個半橋驅動器。該器件的 5ns 延遲匹配性能允許并聯兩個輸出,能夠在重負載條件下將驅動強度提高一倍,而無內部擊穿風險。

輸入側通過一個 3.0kVRMS 隔離層與兩個輸出驅動器相隔離,其共模瞬態抗擾度 (CMTI) 的最小值為 125V/ns。

可通過電阻器進行編程的死區時間幫助您調整系統限制的死區時間,從而提高效率并防止輸出重疊。其他保護特性包括:當 DIS 設置為高電平時,通過禁用功能同時關閉兩路輸出;集成的抗尖峰濾波器可抑制短于 5ns 的輸入瞬變;以及在輸入和輸出引腳上對高達 -2V 的尖峰進行 200ns 的負電壓處理。所有電源都有 UVLO 保護。

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應用手冊 Isolation Glossary (Rev. A) 2017年 9月 19日
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設計和開發

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評估板

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用戶指南: PDF
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仿真模型

UCC21222-Q1 PSpice Transient Model

SLUM622.ZIP (57 KB) - PSpice Model
仿真模型

UCC21222-Q1 Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM623.ZIP (3 KB) - PSpice Model
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測試報告: PDF
原理圖: PDF
封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
SOIC (D) 16 Ultra Librarian

訂購和質量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件標識
  • 引腳鍍層/焊球材料
  • MSL 等級/回流焊峰值溫度
  • MTBF/時基故障估算
  • 材料成分
  • 鑒定摘要
  • 持續可靠性監測
包含信息:
  • 制造廠地點
  • 封裝廠地點

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