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UCC5870-Q1

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適用于 IGBT/SiC 的汽車級 3.75kVrms 30A 單通道功能安全隔離式柵極驅動器

產品詳情

Number of channels 1 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3750 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1000 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 5250 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 30 Peak output current (source) (typ) (A) 30 Peak output current (sink) (typ) (A) 30 Features Active miller clamp, Fault reporting, Programmable dead time, SPI, Short circuit protection, Soft turn-off, Soft turnoff, Two-level turn-off, Two-level turnoff Output VCC/VDD (min) (V) 15 Output VCC/VDD (max) (V) 30 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (μs) 0.15 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 1000 Rise time (ns) 150 Fall time (ns) 150 Undervoltage lockout (typ) (V) Programmable TI functional safety category Functional Safety-Compliant
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SSOP (DWJ) 36 131.84 mm2 12.8 x 10.3
  • 分離輸出驅動器，以提供峰值為 30A 的拉電流和峰值為 30A 的灌電流
  • 柵極驅動強度動態可調
  • 具有 150ns（最大值）傳播延遲和可編程最小脈沖抑制的互鎖和擊穿保護
  • 支持初級側和次級側主動短路 (ASC)
  • 可配置功率晶體管保護
    • 基于 DESAT 的短路保護
    • 基于分流電阻器的過流和短路保護
    • 基于 NTC 的過熱保護
    • 在功率晶體管發生故障時提供可編程軟關斷 (STO) 和兩級關斷 (2LTOFF) 保護
  • 功能安全合規型
  • 集成型診斷：
    • 針對保護比較器的內置自檢 (BIST)
    • IN+ 至晶體管柵極路徑完整性
    • 功率晶體管閾值監測
    • 內部時鐘監測
    • 故障警報 (nFLT1) 和警告 (nFLT2) 輸出
  • 集成式 4A 有源米勒鉗位或可選的米勒鉗位晶體管外部驅動器
  • 高級高壓鉗位控制
  • 內部和外部電源欠壓和過壓保護
  • 有源輸出下拉特性，在低電源或輸入懸空的情況下默認輸出低電平
  • 提供內核溫度檢測和過熱保護
  • 在 V CM = 1000V 時，共模瞬態抗擾度 (CMTI) 的最小值為 100 kV/μs
  • 可通過 SPI 對器件進行重新配置、驗證、監控和診斷
  • 用于功率晶體管溫度、電壓、電流監測的集成式 10 位 ADC
  • 安全相關認證：
    • 符合 UL 1577 標準且長達 1 分鐘的 3750V RMS 隔離（計劃）
  • 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性：
    • 器件溫度等級 0：–40°C 至 125°C 環境工作溫度
    • 器件 HBM ESD 分類等級 2
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C4b
  • 分離輸出驅動器，以提供峰值為 30A 的拉電流和峰值為 30A 的灌電流
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  • 支持初級側和次級側主動短路 (ASC)
  • 可配置功率晶體管保護
    • 基于 DESAT 的短路保護
    • 基于分流電阻器的過流和短路保護
    • 基于 NTC 的過熱保護
    • 在功率晶體管發生故障時提供可編程軟關斷 (STO) 和兩級關斷 (2LTOFF) 保護
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  • 集成式 4A 有源米勒鉗位或可選的米勒鉗位晶體管外部驅動器
  • 高級高壓鉗位控制
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  • 有源輸出下拉特性，在低電源或輸入懸空的情況下默認輸出低電平
  • 提供內核溫度檢測和過熱保護
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  • 可通過 SPI 對器件進行重新配置、驗證、監控和診斷
  • 用于功率晶體管溫度、電壓、電流監測的集成式 10 位 ADC
  • 安全相關認證：
    • 符合 UL 1577 標準且長達 1 分鐘的 3750V RMS 隔離（計劃）
  • 具有符合 AEC-Q100 標準的下列特性：
    • 器件溫度等級 0：–40°C 至 125°C 環境工作溫度
    • 器件 HBM ESD 分類等級 2
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C4b

UCC5870-Q1 器件是一款高度可配置的隔離式單通道柵極驅動器，在電動汽車/混合動力汽車應用中用于驅動高功率 SiC MOSFET 和 IGBT。該器件提供功率晶體管保護，例如基于分流電阻器的過流保護、基于 NTC 的過熱保護以及 DESAT 檢測，還在這些故障期間提供可選的軟關斷或兩級關斷。為了進一步縮小應用尺寸， UCC5870-Q1 集成了在開關期間可用的 4A 有源米勒鉗位，以及在驅動器未通電時可用的有源柵極下拉電阻。集成的 10 位 ADC 可用于監控多達六個模擬輸入以及柵極驅動器溫度，從而增強系統管理。集成的診斷和檢測功能可簡化符合 ASIL-D 標準的系統的設計。這些功能的參數和閾值可使用 SPI 接口進行配置，因此該器件幾乎可與任何 SiC MOSFET 或 IGBT 一同使用。

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更多文獻資料 Protecting Power Devices in Electric Vehicle Applications 2021年 3月 23日
證書 UCC5870QEVM-045 EU Declaration of Conformity (DoC) 2021年 2月 22日
EVM 用戶指南 UCC5870-Q1 Evaluation Module User's Guide 2019年 10月 1日

設計和開發

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評估板

UCC5870QEVM-045 — UCC5870-Q1 符合功能安全標準的 15A 隔離式 IGBT/SiC MOSFET 柵極驅動器三相 EVM

UCC5870-Q1 三相評估模塊 (EVM) 適用于評估 TI 這款具有高級保護功能的 15A 隔離式單通道柵極驅動器。此 EVM 專用于驅動 EV/HEV 應用中的大功率 SiC MOSFET 和 IGBT。這款三相 EVM 可用于調試軟件以適應驅動器的串行外設接口 (SPI)，還可評估驅動器先進的診斷、保護和監控功能。

用戶指南: PDF | HTML
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評估模塊 (EVM) 用 GUI

UCC5870QDWJEVM-026-GUI — UCC5870-Q1 EVM GUI Software

UCC5870-Q1 EVM GUI Software
支持的產品和硬件

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產品
隔離式柵極驅動器
UCC5870-Q1 — 適用于 IGBT/SiC 的汽車級 3.75kVrms 30A 單通道功能安全隔離式柵極驅動器 UCC5871-Q1 — 具有高級保護功能的汽車級 30A 隔離式 5.7kV VRMS IGBT/SiC MOSFET 柵極驅動器
仿真模型

UCC5870-Q1 SIMPLIS Model (Rev. A)

SLUM763A.ZIP (250 KB) - SIMPLIS Model
下載
計算工具

SLURAZ3 — UCC5870-Q1 XL Calculator Tool

支持的產品和硬件

支持的產品和硬件

產品
隔離式柵極驅動器
UCC5870-Q1 — 適用于 IGBT/SiC 的汽車級 3.75kVrms 30A 單通道功能安全隔離式柵極驅動器
模擬工具

PSPICE-FOR-TI — PSpice? for TI 設計和仿真工具

PSpice? for TI 可提供幫助評估模擬電路功能的設計和仿真環境。此功能齊全的設計和仿真套件使用 Cadence? 的模擬分析引擎。PSpice for TI 可免費使用，包括業內超大的模型庫之一，涵蓋我們的模擬和電源產品系列以及精選的模擬行為模型。

借助?PSpice for TI 的設計和仿真環境及其內置的模型庫，您可對復雜的混合信號設計進行仿真。創建完整的終端設備設計和原型解決方案，然后再進行布局和制造，可縮短產品上市時間并降低開發成本。?

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參考設計

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封裝 引腳 CAD 符號、封裝和 3D 模型
SSOP (DWJ) 36 Ultra Librarian

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  • RoHS
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  • 引腳鍍層/焊球材料
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