6 引腳配置和功能

圖 6-1 具有可濕性側面的 48 引腳 QFN/RGZ 封裝（頂視圖）

表 6-1 引腳功能

引腳		I/O⁽³⁾	說明
編號	名稱	I/O⁽³⁾	說明
39	AGND	G	模擬接地引腳。通過一條寬而短的路徑連接到模擬接地層。
30	BIAS	P	VCC 穩壓器的電源電壓輸入。在該引腳與接地之間連接一個 1μF 本地 BIAS 電容器。
31	CFG/MODE	I	器件配置（升壓或降壓、單相或雙相）和開關模式（FPWM 或跳躍模式）選擇引腳。在 FPWM 模式下，通過在 SS 和 AGND 之間連接 57.6kΩ 啟用二極管仿真模式。
4	COMP1	O	內部跨導誤差放大器的輸出。在引腳和 AGND 之間連接環路補償元件。
15	COMP2
34	COMP3
6	CSA1	I	電流檢測放大器輸入引腳。在升壓配置中，該引腳用作負輸入引腳。在降壓配置中，該引腳用作正輸入引腳。
17	CSA2
32	CSA3
5	CSB1/VOUT1	I	電流檢測放大器輸入引腳。在升壓配置中，該引腳用作正輸入引腳。在降壓配置中，該引腳用作負輸入引腳并檢測固定輸出電壓選項的輸出電壓。VDDX 是 VDD 電源的可選輸入。如果 VOUT3 穩壓目標為 3.3V 且器件處于深度睡眠模式，則當 VDD 小于 3.4V（典型值）時，VDDX 在內部連接到 VDD。
16	CSB2/VOUT2
33	CSB3/VOUT3/VDDX
48	DIS/BMOUT	O	當 CH1 配置為預升壓時，DIS 引腳用作電阻分壓器斷開引腳。當至少一個通道處于運行模式時，該引腳被拉低。為更大限度地減小流經電阻分壓器的漏電流，當所有啟用的通道都處于睡眠模式（SLEEP1 > 1.02V，SENSE1 > 6.0V）時，引腳會在關斷期間和深度睡眠模式期間斷開。當 CH1 配置為降壓時，該引腳用作電池監測器輸出。當 BMIN_FIX 小于 5.7V 或 BMIN_PRG 小于 1.0V 時，該引腳被拉低。當 BMIN_FIX 大于 6.0V 時，該引腳斷開。
44	EN1	I	啟用引腳。如果 EN 小于 0.4，則通道處于關斷模式。該引腳必須升至 2.0V 以上才能啟用通道。不使用時連接至 BIAS。
43	EN2
42	EN3
3	FB1/VOSEL1	I	誤差放大器負反饋輸入或固定輸出電壓選擇引腳。在降壓配置中，將此引腳連接到 AGND 可實現 3.3V 輸出，將引腳連接到 VDD 可實現 5V 輸出；或將反饋電阻器連接到此引腳，用于對輸出穩壓目標進行編程。在升壓配置中，始終將反饋電阻器連接到此引腳，用于對輸出穩壓目標進行編程。
14	FB2/VOSEL2
35	FB3/VOSEL3
8	HB1	P	用于自舉柵極驅動的高邊驅動器電源。在升壓配置中，自舉二極管在內部從 VCC 連接到該引腳。在降壓拓撲中，將外部自舉二極管從該引腳連接到 VCC。在該引腳和 SW 之間連接一個 0.1μF 電容器。將 HB 直接連接到 VCC 以進行非同步升壓操作。
20	HB2
29	HB3
10	HO1	O	高邊柵極驅動器輸出。通過一條短的低電感路徑連接到 N 溝道 MOSFET 的柵極。
22	HO2
27	HO3
12	LO1	O	低邊柵極驅動器輸出。通過一條短的低電感路徑直接連接到 N 溝道 MOSFET 的柵極。
24	LO2
25	LO3
11	PGND1	G	電源地引腳。通過一條短的低電感路徑直接連接到 N 溝道 MOSFET 的源極。
23	PGND2
26	PGND3
47	PGOOD1	O	具有開漏輸出的電源正常狀態指示器。在降壓配置中，當 VOUT 超出穩壓窗口時，該引腳被拉低。在升壓配置中，當 VOUT 低于穩壓目標時，該引腳被拉低。
46	PGOOD2
45	PGOOD3
40	RES	O	重新啟動計時器引腳。RES 和 AGND 之間的電容器決定了在斷續模式下通道自動重新啟動之前保持關斷的時間。如果該引腳連接到 AGND，則該通道在斷續模式關斷時間后從不會重新啟動，直到切換 EN。如果引腳在初始上電期間連接到 VDD，則會禁用斷續模式故障計數器，并且器件以非斷續模式逐周期電流限制運行。每個通道的故障計數器獨立運行。一個通道可以采用正常模式運行，而另一個通道受到斷續模式過載保護。
38	RT	I/O	開關頻率設置引腳。如果沒有外部時鐘應用于 SYNC，則開關頻率由 RT 和 AGND 之間的單個電阻器設置。
7	SENSE1/BMIN_FIX	I	當 CH1 配置為同步升壓時，SENSE1 檢測輸出電壓。在升壓配置中，連接該引腳時，應盡可能靠近高邊 MOSFET 的漏極連接。當 CH1 配置為降壓時，BMIN_FIX 用作固定閾值電池監測器輸入引腳。
1	SLEEP1/BMIN_PRG	I	當 CH1 配置為升壓時，如果 SLEEP1 大于 1.0V，則允許進入睡眠模式。當 CH1 配置為降壓時，BMIN_PRG 用作可編程閾值電池監測器輸入引腳。
2	SS1	I/O	軟啟動時間編程引腳。該器件會在軟啟動期間強制進行二極管仿真。通過在 FPWM 模式下將 57.6kΩ 接地，該器件可在二極管仿真中工作，而不進入睡眠模式。當 SS 接地時，開關停止。
13	SS2
36	SS3
9	SW1	P	開關節點。通過一條短的低電感路徑直接連接到高邊 MOSFET 的源極和低邊 MOSFET 的漏極。將 SW 直接連接到 PGND 以進行非同步升壓操作。
21	SW2
28	SW3
41	SYNC/DITHER /VCC_HOLD	I/O	外部同步時鐘輸入或抖動頻率編程引腳。內部振蕩器可以在運行期間與外部時鐘同步。如果 VCC_HOLD > 2.0V，則當所有 EN 引腳接地時，器件將保持 VCC 引腳電壓高于 VCC UVLO 閾值，這有助于在不重新配置的情況下立即重新啟動開關操作。如果在該引腳和 AGND 之間連接一個電容器，則啟用抖動。在此模式下，通過 20μA 拉電流/灌電流對電容器進行充電和放電。隨著引腳上的電壓上升和下降，振蕩器頻率在由 RT 電阻設置的標稱頻率的 –7% 和 +7% 之間調制。通過將引腳下拉至地，可以在運行期間禁用抖動。如果不使用該引腳，則將該引腳連接到 AGND。
19	VCC	P	VCC 輔助電源引腳。在該引腳和電源地之間連接一個 10μF VCC 電容器。
18	VCCX	P	用于外部 VCC 電源的可選輸入。如果 VCCX > 4.5V，則 VCCX 在內部連接到 VCC。在該引腳和 PGND 之間連接一個 0.47μF 本地 VCCX 電容器。如果未使用 VCCX，則必須將該引腳接地。
37	VDD	P	VDD 輔助電源引腳。在該引腳和 AGND 之間連接一個 0.1μF VDD 電容器。
-	EP		封裝的裸露焊盤。EP 在內部連接至 AGND。必須將 EP 焊接到較大的模擬接地層以降低熱阻。

(3) G = 地，I = 輸入，O = 輸出，P = 電源