ZHCSJR0A October 2018 – MAY 2019 DRV8876
PRODUCTION DATA.
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IPROPI 引腳會輸出與流經 H 橋中的低側功率 MOSFET 的電流成正比并經過 AIPROPI 調節的模擬電流。可以使用Equation 1 計算出 IPROPI 輸出電流。
此電流由內部電流鏡架構測得,無需使用外部功率檢測電阻器。此外,電流鏡架構還允許在驅動和制動低側慢速衰減期間檢測電機繞組電流,從而在典型雙向有刷直流電機 應用中連續監控電流。在滑行模式下,電流是續流電流,無法被檢測到,但可以在驅動或慢速衰減模式下短暫重新啟用驅動器并在再次切換回滑行模式之前測量此電流,從而對其進行采樣。當處于獨立的 PWM 模式且兩個低側 MOSFET 在同時傳導電流時,IPROPI 輸出將是這兩個低側 MOSFET 電流的總和。
應將 IPROPI 引腳連接到外部電阻器 (RIPROPI) 以接地,從而利用 IIPROPI 模擬電流輸出在 IPROPI 引腳上產生一個比例電壓 (VIPROPI)。這樣即可使用標準模數轉換器 (ADC) 將負載電流作為 RIPROPI 電阻器兩端的壓降進行測量。可以根據應用中的預期負載電流調節 RIPROPI 電阻器的大小,以利用控制器 ADC 的整個量程。此外,DRV887x 器件還采用了一個內部 IPROPI 電壓鉗位電路,可相對于 VREF 引腳上的 VVREF 限制 VIPROPI,并在發生輸出過流或意外高電流事件時保護外部 ADC。
可以使用Equation 2 計算對應于輸出電流的 IPROPI 電壓。
Figure 11. 集成電流檢測 IPROPI 輸出帶寬受 DRV887x 內部電流檢測電路的檢測延遲時間 (tDELAY) 限制。此時間是指從低側 MOSFET 啟用命令到 IPROPI 輸出準備就緒這兩個時間點之間的延遲。在 H 橋 PWM 信號中,如果器件在驅動和慢速衰減(制動)之間交替切換,則檢測電流的低側 MOSFET 會持續導通,但檢測延遲時間對 IPROPI 輸出不會產生任何影響。