ZHCSU74 December 2023 DRV8234
PRODUCTION DATA
每個(gè) FET 上的模擬電流限制電路都將通過在內(nèi)部限制柵極驅(qū)動(dòng)器來限制流經(jīng) FET 的電流。如果此模擬電流限制的持續(xù)時(shí)間超過 OCP 抗尖峰脈沖時(shí)間 (tOCP),則 H 橋中的所有 FET 將禁用,F(xiàn)AULT 和 OCP 位將變?yōu)?1b,并且 nFAULT 引腳將被拉至低電平。
OCP_MODE 位對(duì)器件對(duì)過流事件的響應(yīng)進(jìn)行編程。該器件可以鎖存或執(zhí)行自動(dòng)重試,以便從過流事件中恢復(fù)。
在自動(dòng)重試模式下,MOSFET 會(huì)禁用,nFAULT 引腳將在 tRETRY 的持續(xù)時(shí)間內(nèi)被驅(qū)動(dòng)為低電平。經(jīng)過 tRETRY 時(shí)間后,MOSFET 會(huì)根據(jù)控制輸入重新啟用。如果過流條件仍然存在,則會(huì)重復(fù)此周期,否則器件將恢復(fù)正常運(yùn)行。下圖對(duì)此進(jìn)行了說明 -
圖 7-17 OCP 運(yùn)行在閉鎖模式下,MOSFET 將保持禁用狀態(tài),nFAULT 引腳將被驅(qū)動(dòng)為低電平,直到通過 CLR_FLT 命令或通過對(duì) VM 電源進(jìn)行下電上電使器件復(fù)位。
在高側(cè)和低側(cè) FET 上單獨(dú)檢測(cè)到過流情況。這意味著接地短路、電源短路或跨電機(jī)繞組短路都會(huì)導(dǎo)致過流關(guān)斷。過流保護(hù)不使用用于電流調(diào)節(jié)的電流檢測(cè)電路,因此無論 VREF 和 IPROPI 設(shè)置如何,它都能正常工作。