ZHCSHG1C October 2017 – February 2018 UCC28056
PRODUCTION DATA.
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說(shuō)明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì) 說(shuō)明
- 8 應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)
- 9 電源建議
- 10布局
- 11器件和文檔支持
- 12機(jī)械、封裝和可訂購(gòu)信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DBV|6
散熱焊盤(pán)機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購(gòu)信息
8.2.2.2.2 升壓開(kāi)關(guān)選擇
功率開(kāi)關(guān)在打開(kāi)期間 (TON) 承載升壓電感器電流。在關(guān)閉期間 (TDCH) 不承載電流。Equation 28 表示在線(xiàn)路半周期中，角度為 θ 時(shí)，在一個(gè)開(kāi)關(guān)周期中的開(kāi)關(guān) RMS 電流。
Equation 28. 
Equation 29 表示在理想臨界模式 (CrM) 運(yùn)行條件下的開(kāi)關(guān)導(dǎo)通的占空比。
Equation 29. 
開(kāi)關(guān)打開(kāi)時(shí)間在整個(gè)輸入線(xiàn)電壓周期中保持恒定，但關(guān)閉時(shí)間根據(jù)在輸入線(xiàn)電壓位置不同而決定。一個(gè)開(kāi)關(guān)周期升壓電感的伏秒平衡需要滿(mǎn)足如下公式：
Equation 30. 
Equation 31 計(jì)算開(kāi)關(guān)導(dǎo)通的占空比。
Equation 31. 
Equation 32 表示在一個(gè)完整的線(xiàn)路半周期中的 RMS 開(kāi)關(guān)電流。
Equation 32. 
在最大負(fù)載和最小線(xiàn)電壓下，開(kāi)關(guān)中的 RMS 電流最大。
Equation 33. 
按照以下原則選擇升壓開(kāi)關(guān)的 MOSFET。
- 額定電壓必須大于最大輸出電壓。在瞬變或線(xiàn)路浪涌測(cè)試下，輸出電壓可以超過(guò)正常穩(wěn)壓電平。在本設(shè)計(jì)示例中，650V 的 MOSFET 額定電壓支持 390V 的穩(wěn)壓輸出電壓。
- 基于 MOSFET 中可接受的導(dǎo)通損耗水平，根據(jù)最大 RMS 電流可以計(jì)算所需的導(dǎo)通電阻 (rDS(on)) 值。本示例設(shè)計(jì)選擇的是 STMicrolelectronics 的 STF24N60DM2 MOSFET，該器件導(dǎo)通電阻為0.37Ω，當(dāng) TJ = 125°C 時(shí)，允許在MOSFET中產(chǎn)生最大的導(dǎo)通功率損耗（小于1.7W）。
- 為了達(dá)到最高的效率，使用具有快速體二極管的 MOSFET。如果使用具有慢速體二極管的 MOSFET，并且工作在低輸入電壓電流斷續(xù)模式 (DCM) 下工作會(huì)導(dǎo)致額外的開(kāi)關(guān)功率損耗。