ZHCSHG1C October 2017 – February 2018 UCC28056
PRODUCTION DATA.
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 修訂歷史記錄
- 5 引腳配置和功能
- 6 規(guī)格
- 7 詳細(xì) 說明
- 8 應(yīng)用和實(shí)現(xiàn)
- 9 電源建議
- 10布局
- 11器件和文檔支持
- 12機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- DBV|6
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
7.3.5.3.2 二級輸出過壓保護(hù) (Ovp2)
在 TDCH 周期期間，升壓二極管導(dǎo)通（并且忽略與升壓二極管串聯(lián)的阻抗），流經(jīng) MOSFET 的電壓接近輸出電壓。控制器通過連接到 ZCD/CS 引腳的外部分壓器網(wǎng)絡(luò)監(jiān)測經(jīng)過 MOSFET 的電壓。該監(jiān)測方法提供了第二種檢測輸出電壓過高的獨(dú)立方法，以防 VOSNS 引腳分壓器被損壞。具有固定閾值 (VOvp2Th) 的 Ovp2 比較器監(jiān)測 TDCH 周期期間的 ZCD/CS 引腳電壓。在 DRV 波形下降沿后施加固定消隱周期 (TOvp2Blk)，以確保 Ovp2 比較器不因漏極波形前沿的電感尖峰而跳閘。
UCC28056 控制器工作時，可以在升壓 MOSFET 負(fù)載側(cè)放一個浪涌限制 NTC 電阻器。將 NTC 電阻器放在該位置后，可以使用一個較小且降低了額定電流的控制器，并且能夠提高效率。NTC 在串聯(lián)電阻中引起的壓降（尤其是在冷啟動時）導(dǎo)致在高于輸出電壓的升壓 MOSFET 中出現(xiàn)壓降，例如在 TDCH 期間的早期，當(dāng)流經(jīng)升壓二極管和 NTC 電阻器的電流達(dá)到最高值時。冷啟動 NTC 在升壓 MOSFET 中產(chǎn)生過高的電壓會帶來兩種重要的結(jié)果：
- 它可能導(dǎo)致 Ovp2 比較器在輸出電壓未過壓時跳閘。
- 在冷啟動期間向升壓 MOSFET 施加過高的電壓應(yīng)力可能對其造成損壞。
如果 Ovp2 比較器輸出下降沿和 Zcdb 信號之間的時間連續(xù)三個開關(guān)周期小于 TOvp2En，UCC28056 將觸發(fā) Ovp2 故障。當(dāng)流經(jīng) NTC 電阻器的電流較小時，必須在接近 Zcdb 點(diǎn)時才能觸發(fā) Ovp2 比較器，因此觸發(fā) OVP2 保護(hù)所需的串聯(lián)阻抗顯著增加。
每個開關(guān)周期在 COMP 和接地引腳之間連接的內(nèi)部放電電阻器 (RCODisch) 導(dǎo)致 Ovp2 比較器跳閘。該內(nèi)部電阻使外部補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)放電，降低了功率需求，因此降低了經(jīng)過 NTC 電阻器的峰值電流。對于任何一個觸發(fā)了 Ovp2 比較器的開關(guān)周期，內(nèi)部 COMP 放電電阻器保持接通狀態(tài)。出現(xiàn)第一個不觸發(fā) Ovp2 比較器的開關(guān)周期后，內(nèi)部 COMP 放電電阻器斷開。該電路的作用是通過限制流經(jīng)冷的 NTC 電阻器的峰值電流來限制在冷啟動器件向升壓 MOSFET 施加的峰值電壓應(yīng)力.
Figure 24. 描述 Ovp2 運(yùn)行狀況的波形