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ZHCSHG1C October 2017 – February 2018 UCC28056

PRODUCTION DATA.

封裝選項

機械數據 (封裝 | 引腳)

DBV|6
- MPDS026Q

散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)

訂購信息

6.5 電氣特性

在自然通風溫度范圍內測得（除非另有說明）

參數		測試條件	最小值	典型值	最大值	單位
電源電壓
V_CCStart	導通閾值	VCC 上升		10.65	11	V
V_CCStop	斷開閾值	VCC 下降	8.5	8.85	9.2	V
V_CCHyst	UVLO 遲滯 (V_{CCStart -}V_CCStop) ⁽¹⁾		1.5			V
T_UVLOBlk	斷開消隱時間		27	35	42	µs
電源電流
I_{CC_Startup}	啟動前的電流消耗	VCC = V_CCStart-200mV，T_A< 110℃			46	µA
I_{CC_FAULT}	故障狀況期間的電流消耗	VCC = 12V			130	µA
I_{CC_BSTOFF}	間歇關閉期間的電流消耗	VCC = 12V			132	µA
I_{CC_RUN}	DRV 引腳空載時的工作電流	VCC = 12V		1.8	2.2	mA
柵極驅動
V_DRLow	DRV 輸出低電壓	I_DR = 100mA			0.9	V
V_DRHigh	DRV 輸出電壓高電平（限制）	VCC = 25V，I_DR = -10mA	10	13.7	15	V
V_DRHighMin	DRV 最低高電壓電平	VCC = V_CCStop + 200mV，I_DR = -8mA	8			V
R_DRH	DRV，上拉電阻	T_A = -40°C 至 125°C，I_DR = -8mA，VCC=12V		9.7	16	Ω
R_DRL	DRV，下拉電阻	T_A = -40°C 至 125°C，I_DR = 100mA	2.0	4.6	9	Ω
t_R	上升時間	CLOAD = 1nF，DRV = 1V 至 6V，VCC = 12V	10	34	61	ns
t_F	下降時間	CLOAD = 1nF，DRV = 6V 至 1V，VCC = 12V	4	15	40	ns
Isource	DRV 引腳上的峰值源電流 ⁽¹⁾			-0.7		A
Isink	DRV 引腳上的峰值灌電流 ⁽¹⁾			1		A
R_DG0	選擇 T_ZCDR0 時的 DRV 接地電阻值 ⁽¹⁾		130	200		kΩ
R_DG1	選擇 T_ZCDR1 時的 DRV 接地電阻值 ⁽¹⁾		81.18	82	82.82	kΩ
R_DG2	選擇 T_ZCDR2 時的 DRV 接地電阻值 ⁽¹⁾		61.38	62	62.62	kΩ
R_DG3	選擇 T_ZCDR3 時的 DRV 接地電阻值 ⁽¹⁾		42.57	43	43.43	kΩ
R_DG4	選擇 T_ZCDR4 時的 DRV 接地電阻值 ⁽¹⁾		26.73	27	27.27	kΩ
R_DG5	選擇 T_ZCDR5 時的 DRV 接地電阻值 ⁽¹⁾		17.82	18	18.18	kΩ
R_DG6	選擇 T_ZCDR6 時的 DRV 接地電阻值 ⁽¹⁾		12.87	13	13.13	kΩ
R_DG7	選擇 T_ZCDR7 時的 DRV 接地電阻值 ⁽¹⁾		9	9.1	9.2	kΩ
T_DGSmpl	檢測到 R_DG 值所需的時間。	T_A< 85℃	3.95	4.4	4.95	ms
V_DGClmp	檢測 R_DG 值時在 DRV 引腳上施加的最大電壓。		1	1.05	1.1	V
誤差放大器
V_OSReg	反饋電壓基準		2.45	2.5	2.55	V
I_OSBias	ISNS 引腳偏置電流	V_OS = V_OSReg	-100		100	nA
g_M	誤差放大器跨導增益	\|V_OS-V_OSReg\| < DSuThs		50		µS
g_MNL	適用于較大誤差的誤差放大器跨導增益	\|V_OS-V_OSReg\| > DSuThs		300		µS
DSuThs	非線性增益閾值		67			mV
R_CODisch	處于 STOPb 狀態時的內部 COMP 接地電阻。		4.3	5	5.7	kΩ
V_COClmp	COMP 引腳內部高鉗位電壓		5.5	5.6	5.71	V
V_COSat	COMP 引腳內部低鉗位電壓 ⁽¹⁾			0		V
I_COMin	COMP 源電流			-120		µA
I_COMax	COMP 最大灌電流			120		µA
線電壓前饋
T_HLinMax	線路峰值采樣窗口 ⁽¹⁾	打開開關時	11	12.3	13.6	ms
V_FF0Rise	從 G_FF0 切換到 G_FF1 時的比較器上升閾值 ⁽¹⁾			0.348		V
V_FF1Rise	從 G_FF1 切換到 G_FF2 時的比較器上升閾值 ⁽¹⁾			0.406		V
V_FF2Rise	從 G_FF2 切換到 G_FF3 時的比較器上升閾值 ⁽¹⁾			0.473		V
V_FF3Rise	從 G_FF3 切換到 G_FF4 時的比較器上升閾值 ⁽¹⁾			0.552		V
V_FF4Rise	從 G_FF4 切換到 G_FF5 時的比較器上升閾值 ⁽¹⁾			0.644		V
V_FF5Rise	從 G_FF5 切換到 G_FF6 時的比較器上升閾值 ⁽¹⁾			0.751		V
V_FF6Rise	從 G_FF6 切換到 G_FF7 時的比較器上升閾值 ⁽¹⁾			0.875		V
V_FF0Fall	從 G_FF1 切換到 G_FF0 時的比較器下降閾值 ⁽¹⁾	T_HLinMax 窗口內的 V_InSynth 峰值		0.331		V
V_FF1Fall	從 G_FF2 切換到 G_FF1 時的比較器下降閾值 ⁽¹⁾	T_HLinMax 窗口內的 V_InSynth 峰值		0.386		V
V_FF2Fall	從 G_FF3 切換到 G_FF2 時的比較器下降閾值 ⁽¹⁾	T_HLinMax 窗口內的 V_InSynth 峰值		0.45		V
V_FF3Fall	從 G_FF4 切換到 G_FF3 時的比較器下降閾值 ⁽¹⁾	T_HLinMax 窗口內的 V_InSynth 峰值		0.524		V
V_FF4Fall	從 G_FF5 切換到 G_FF4 時的比較器下降閾值 ⁽¹⁾	T_HLinMax 窗口內的 V_InSynth 峰值		0.612		V
V_FF5Fall	從 G_FF6 切換到 G_FF5 時的比較器下降閾值 ⁽¹⁾	T_HLinMax 窗口內的 V_InSynth 峰值		0.713		V
V_FF6Fall	從 G_FF7 切換到 G_FF6 時的比較器下降閾值 ⁽¹⁾	T_HLinMax 窗口內的 V_InSynth 峰值		0.832		V
G_FF0	線路前饋增益電平 0 ⁽¹⁾			1		V
G_FF1	線路前饋增益電平 1 ⁽¹⁾			0.735		V
G_FF2	線路前饋增益電平 2 ⁽¹⁾			0.541		V
G_FF3	線路前饋增益電平 3 ⁽¹⁾			0.398		V
G_FF4	線路前饋增益電平 4 ⁽¹⁾			0.292		V
G_FF5	線路前饋增益電平 5 ⁽¹⁾			0.215		V
G_FF6	線路前饋增益電平 6 ⁽¹⁾			0.158		V
G_FF7	線路前饋增益電平 7 ⁽¹⁾			0.116		V
最大導通時間
T_ONMAX0	最大導通時間 (G_FF = G_FF0)		12.1	12.8	13.2	µs
T_ONMAX1	最大導通時間 (G_FF = G_FF1)		10.42	10.98	11.28	µs
T_ONMAX2	最大導通時間 (G_FF = G_FF2)		8.85	9.41	9.64	µs
T_ONMAX3	最大導通時間 (G_FF = G_FF3)		7.59	8.07	8.32	µs
T_ONMAX4	最大導通時間 (G_FF = G_FF4)		6.52	6.92	7.18	µs
T_ONMAX5	最大導通時間 (G_FF = G_FF5)		5.56	5.93	6.16	µs
T_ONMAX6	最大導通時間 (G_FF = G_FF6)		4.73	5.09	5.28	µs
T_ONMAX7	最大導通時間 (G_FF = G_FF7)		4.07	4.36	4.57	µs
間歇模式運行
V_BSTFall	VCOMP 間歇閾值下降			0.5		V
V_BSTRise	VCOMP 間歇閾值上升			0.625		V
零電流檢測和谷值同步
V_ZcdVinHyst	ZcdVin 比較器回差 ⁽¹⁾		12	19	26	mV
T_DCHVinMin	ZcdVin 比較器從 DRV 下降沿開始的消隱時間 ⁽¹⁾		250	358	467	ns
T_ZCDTo	如果 Vin 比較器在此期間沒有出現負跳變，則不等待谷值		2.035	2.4	3.0	µs
T_ZCDR0	ZCD 至 DRV 最小延遲。	從 V_ZC< V_InSynth 到 DRV = 6V，C_DR = 1nF，Fres = 1.2MHz，R_DG = R_DG0		170	235	ns
ΔT_ZCDR1	T_ZCDR1 = T_ZCDR0 + ΔT_ZCDR1⁽¹⁾	R_DG = R_DG1	34.6	45.5	58.5	ns
ΔT_ZCDR2	T_ZCDR2 = T_ZCDR0 + ΔT_ZCDR2⁽¹⁾	R_DG = R_DG2	76	90	107	ns
ΔT_ZCDR3	T_ZCDR3 = T_ZCDR0 + ΔT_ZCDR3⁽¹⁾	R_DG = R_DG3	114	130	147	ns
ΔT_ZCDR4	T_ZCDR4 = T_ZCDR0 + ΔT_ZCDR4⁽¹⁾	R_DG = R_DG4	157	175	193	ns
ΔT_ZCDR5	T_ZCDR5 = T_ZCDR0 + ΔT_ZCDR5⁽¹⁾	R_DG = R_DG5	229	255	281	ns
ΔT_ZCDR6	T_ZCDR6 = T_ZCDR0 + ΔT_ZCDR6⁽¹⁾	R_DG = R_DG6	301	335	369	ns
ΔT_ZCDR7	T_ZCDR7 = T_ZCDR0 + ΔT_ZCDR7⁽¹⁾	R_DG = R_DG7	373	415	457	ns
V_DDAmpl	觸發拐點檢測器時所需的 ZCD/CS 引腳上的 500kHz 正弦波信號振幅		25			mV
T_DCHDDMin	拐點檢測器消隱周期 ⁽¹⁾	從 DRV 脈沖下降沿開始測得		1.5		µs
故障保護
T_LongFlt	長故障持續時間 ⁽¹⁾			1		s
線路欠壓啟動保護
V_ZCBoRise	處于 Stopb 狀態時的欠壓保護閾值	ZCD/CS 引腳上的峰值周期平均電壓。	0.282	0.3	0.318	V
I_ZCBias	ZCD/CS 引腳偏置電流 ⁽¹⁾	V_ZC = V_ZCBoFall	-100		100	nA
過流保護
V_ZCOcp1	ZCD/CS 一級過流保護閾值		450	500	550	mV
V_ZCOcp2	ZCD/CS 二級過流保護閾值		670	750	825	mV
T_Ocp1Blk	從 DRV 上升沿到啟用 Ocp1 比較器輸出的 ZCD/CS 消隱時間 ⁽¹⁾			450		ns
T_Ocp2Blk	從 DRV 上升沿到啟用 Ocp2 比較器輸出的 ZCD/CS 消隱時間 ⁽¹⁾			250		ns
T_OcpDrvDel	ZCD/CS 穿越 V_OcpxTh 到 DRV 下降沿。			56	120	ns
T_DCHMax0	未檢測到 ZCD 信號時 T_DCHb 狀態的最大持續時間。從不出現 OCPx 事件開始計算 ⁽¹⁾			250		µS
T_DCHMax1	未檢測到 ZCD 信號時 T_DCHb 狀態的最大持續時間。從出現一次 OCPx 事件開始計算 ⁽¹⁾			500		µS
T_DCHMax2	未檢測到 ZCD 信號時 T_DCHb 狀態的最大持續時間。從連續出現兩次 OCPx 事件開始計算 ⁽¹⁾			1000		µS
輸出過壓保護
V_OSOovp1Rise	VOSNS 過壓閾值（上升）	VCC=12V	2.69	2.75	2.81	V
V_OSOovp1Fall	VOSNS 過壓閾值（下降）	VCC=12V	2.60	2.675	2.73	V
V_OSOovp1Hyst	V_OSOovp1Rise - V_OSOovp1Fall⁽¹⁾		0.072			V
T_Ovp2Blk	在DRV下降沿之后，Ovp2比較器輸出消隱時間 ⁽¹⁾		520	620	720	ns
T_Ovp2bEn	在 Ovp3 比較器輸出下降沿后的一段時間內，檢測到 Ovp2b 故障和 ZCD ⁽¹⁾		620	720	820	ns
V_Ovp2Th	二級輸出過壓故障閾值		1.102	1.125	1.148	V
熱保護
T_TSDRise	熱關斷上升閾值 ⁽¹⁾	打開開關時	135	145	155	°C
T_TSDFall	熱關斷下降閾值 ⁽¹⁾	關閉開關時	95	105	115	°C
T_TSDHyst	T_TSDRise - T_TSDFall⁽¹⁾		38	40	42	°C

(1) 未經生產測試。由設計確保。