ZHCSWR0A July 2024 – October 2024 LMG2100R026
PRODUCTION DATA
請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。
| 參數 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 功率級 | ||||||
| RDS(ON)HS | 高側 GaN FET 導通電阻 | LI = 0V，HI = VCC = 5V，HB-HS = 5V，I(VIN-SW) = 16A，TJ = 25℃ | 2.7 | 3.5 | mΩ | |
| RDS(ON)LS | 低側 GaN FET 導通電阻 | LI = VCC = 5V，HI = 0V，HB-HS = 5V，I(SW-PGND) = 16A，TJ = 25℃ | 2.6 | 3.5 | mΩ | |
| VSD | GaN 第三象限導通壓降 | ISD = 500mA，VIN 懸空，VCC = 5V，HI = LI = 0V | 1.5 | V | ||
| IL-VIN-SW | 高側 GaN FET 和低側 GaN FET 關斷時從 VIN 到 SW 的漏電流 | VIN = 80V，SW = 0，HI = LI = 0V，VCC = 5V，TJ = 25℃ | 10 | 160 | μA | |
| IL-SW-GND | 高側 GaN FET 和低側 GaN FET 關斷時從 SW 到 GND 的漏電流 | SW = 80V，HI = LI = 0V，VCC = 5V，TJ = 25℃ | 10 | 160 | μA | |
| CISS | 高側或低側 HEMT 的輸入電容 | VDS = 50V，VGS = 0V (HI = LI = 0V) | 1686 | pF | ||
| COSS | 高側 GaN FET 或低側 GaN FET 的輸出電容 | VDS = 50V，VGS = 0V (HI = LI = 0V) | 570 | 790 | pF | |
| COSS(ER) | 高側 GaN FET 或低側 GaN FET 的輸出電容 - 能量相關 | VDS = 0V 至 50V，VGS = 0V (HI = LI = 0V) | 700 | pF | ||
| COSS(TR) | 高側 GaN FET 或低側 GaN FET 的輸出電容 - 時間相關 | VDS = 0V 至 50V，VGS = 0V (HI = LI = 0V) | 881 | pF | ||
| CWELL | 高壓阱電容（SW 至 PGND） | VIN = VSW = 50V，HI = LI = 0V | 30 | pF | ||
| CRSS | 高側或低側 HEMT 的反向傳輸電容 | VDS = 50V，VGS = 0V (HI = LI = 0V) | 4.3 | pF | ||
| QG | 高側或低側 HEMT 的總柵極電荷 | VDS = 50V，ID = 16A，VGS = 5V | 12 | 15.8 | nC | |
| QGD | 高側或低側 HEMT 的柵漏極電荷 | VDS = 50V，ID = 16A | 1.2 | nC | ||
| QGS | 高側或低側 HEMT 的柵源極電荷 | VDS = 50V，ID = 16A | 3.9 | nC | ||
| QOSS | 輸出電荷（高側 HEMT、低側 HEMT 和柵極驅動器高壓阱電荷的總和） | VDS = 50V，ID = 16A | 90 | 115 | nC | |
| QRR | 源極至漏極反向恢復電荷 | 不包括內部驅動器自舉二極管 | 0 | nC | ||
| tHIPLH | 傳播延遲：HI 上升(2) | LI = 0V，VCC = 5V，HB-HS = 5V，VIN = 48V | 35 | 55 | ns | |
| tHIPHL | 傳播延遲：HI 下降(2) | LI = 0V，VCC = 5V，HB-HS = 5V，VIN = 48V | 33 | 55 | ns | |
| tLPLH | 傳播延遲：LI 上升(2) | HI = 0V，VCC = 5V，HB-HS = 5V，VIN = 48V | 35 | 55 | ns | |
| tLPHL | 傳播延遲：LI 下降(2) | HI = 0V，VCC = 5V，HB-HS = 5V，VIN = 48V | 33 | 55 | ns | |
| tMON | 延遲匹配：LI 高和 HI 低(2) | 2 | 10 | ns | ||
| tMOFF | 延遲匹配：LI 低和 HI 高(2) | 2 | 10 | ns | ||
| tPW | 可改變輸出的最小輸入脈沖寬度 | 10 | ns | |||
| 輸入引腳 | ||||||
| VIH | 高電平輸入電壓閾值 | 上升沿 | 1.87 | 2.06 | 2.22 | V |
| VIL | 低電平輸入電壓閾值 | 下降沿 | 1.48 | 1.66 | 1.76 | V |
| VHYS | 上升和下降閾值之間的遲滯 | 400 | mV | |||
| RI | 輸入下拉電阻 | 100 | 200 | 300 | k? | |
| 欠壓保護 | ||||||
| VCCR | VCC 上升沿閾值 | 上升 | 3.2 | 3.8 | 4.5 | V |
| VCCF | VCC 下降沿閾值 | 3.0 | 3.6 | 4.3 | V | |
| VCC(hyst) | VCC UVLO 閾值遲滯 | 210 | mV | |||
| VHBR | HB 上升沿閾值 | 上升 | 2.5 | 3.2 | 3.9 | V |
| VHBF | HB 下降沿閾值 | 2.3 | 3.0 | 3.7 | V | |
| VHB(hyst) | HB UVLO 閾值遲滯 | 210 | mV | |||
| 自舉二極管 | ||||||
| VDL | 低電流正向電壓 | IHB-HS = 100μA | 0.45 | 0.7 | V | |
| VDH | 高電流正向電壓 | IHB-HS= 100mA | 0.9 | 1.0 | V | |
| RD | 動態電阻 | IHB-HS= 100mA | 1.85 | ? | ||
| HB-HS 鉗位 | 穩壓電壓 | 4.65 | 5 | 5.2 | V | |
| tBS | 自舉二極管反向恢復時間 | IF = 100mA，IR = 100mA | 40 | ns | ||
| QRR | 自舉二極管反向恢復電荷 | VVIN = 50V | 2 | nC | ||
| 電源電流 | ||||||
| ICC | VCC 靜態電流 | LI = HI = 0V，VCC = 5V | 0.09 | 0.2 | mA | |
| ICC | VCC 靜態電流 | LI=VCC=5V，HI=0V | 0.26 | 5 | mA | |
| ICCO | 總 VCC 工作電流 | f = 500kHz，50% 占空比，VIN = 48V | 12 | 15 | mA | |
| IHB | HB 靜態電流 | LI = HI = 0V，VCC = 5V，HB-HS = 4.6V | 0.1 | 0.2 | mA | |
| IHB | HB 靜態電流 | LI=0V，HI=VCC=5V，HB-HS=4.6V | 0.16 | 4.5 | mA | |
| IHBO | HB 工作電流 | f = 500kHz，50% 占空比，VCC = 5V，HB-HS = 4.6V | 5.6 | 8 | mA | |