ZHCSWR0A July 2024 – October 2024 LMG2100R026
PRODUCTION DATA
封裝選項
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機械數據 (封裝 | 引腳)
- VBN|18
- VBN|16
散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)
訂購信息
3 說明
LMG2100R026 器件是一款 93V 連續 100V 脈沖式 53A 半橋功率級，具有集成柵極驅動器和增強模式氮化鎵 (GaN) FET。該器件包含兩個 GaN FET，采用半橋配置，由一個高頻 GaN FET 驅動器驅動。
GaN FET 在功率轉換方面的優勢極為顯著，因為它們的反向恢復為零，而且輸入電容 CISS 和輸出電容 COSS 都非常小。驅動器和兩個 GaN FET 均安裝在一個完全無鍵合線的封裝平臺上，盡可能減少了封裝寄生元件數。LMG2100R026 器件采用 7.0mm × 4.5mm × 0.89mm 無鉛封裝，可輕松安裝在 PCB 上。
無論 VCC 電壓如何，TTL 邏輯兼容輸入均可支持 3.3V 和 5V 邏輯電平。專有的自舉電壓鉗位技術確保了增強模式 GaN FET 的柵極電壓處于安全的工作范圍內。
該器件配有用戶友好型接口且更為出色，進一步提升了分立式 GaN FET 的優勢。對于需要小尺寸、高頻、高效運行的應用來說，該器件是理想的解決方案。
(1) 有關所有可用封裝，請參閱節 11。
(2) 封裝尺寸（長 × 寬）為標稱值，并包括引腳（如適用）。
簡化版方框圖