ZHCSWR0A July 2024 – October 2024 LMG2100R026
PRODUCTION DATA
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高側偏置電壓是使用自舉技術生成的,并在內部鉗位為 5V(典型值)。該鉗位可防止柵極電壓超過增強模式 GaN FET 的最大柵源電壓額定值。