ZHCSWR0A July 2024 – October 2024 LMG2100R026
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
圖 8-7 和圖 8-8 的橫截面中所示的布局顯示了器件相對(duì)于敏感無(wú)源器件(如 VIN、自舉電容器(HS 和 HB)以及 VSS 電容器)的建議布局。在布局中應(yīng)留出適當(dāng)?shù)拈g距,以減小爬電距離,并根據(jù)應(yīng)用污染級(jí)別滿足間隙要求。由于污染可忽略,內(nèi)層(如果存在)的間隔可以更緊密。
布局的設(shè)計(jì)必須盡可能減小 SW 節(jié)點(diǎn)的電容。使用盡可能小的覆銅面積將器件 SW 引腳連接到電感器、變壓器或其他輸出負(fù)載。此外,還要確保接地平面或任何其他銅平面具有切口,以免與 SW 節(jié)點(diǎn)重疊,因?yàn)檫@將有效地在印刷電路板上形成電容器。該節(jié)點(diǎn)上的額外電容會(huì)降低 LMG2100R026 先進(jìn)封裝技術(shù)的優(yōu)勢(shì),并可能導(dǎo)致性能下降。
由于電源環(huán)路電感較大,建議不要將雙層電路板與 LMG2100R026 器件一起使用。但是,如果設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)中只允許兩個(gè)電路板層,請(qǐng)將輸入去耦電容器直接放置在電路板背面的器件后方,以更大限度降低環(huán)路電感。圖 8-9 和圖 8-10 展示了雙層電路板的布局示例。