ZHCSWR0A July 2024 – October 2024 LMG2100R026
PRODUCTION DATA
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節 7.2 展示了 LMG2100R026 半橋 GaN 功率級，該功率級具有高度集成的高側和低側柵極驅動器，包括內置 UVLO 保護電路和過壓鉗位電路。鉗位電路會限制自舉刷新操作，以確保高側柵極驅動器過驅不超過 5.4V。該器件集成了兩個 GaN FET，采用半橋配置。該器件可用于許多隔離和非隔離拓撲，從而實現非常簡單的集成。采用的封裝旨在更大限度減小環路電感，同時保持 PCB 設計簡單。導通和關斷的驅動強度經過了優化，可確保高電壓壓擺率，而不會在柵極或電源環路上造成任何過多的振鈴。