ZHCSWR0A July 2024 – October 2024 LMG2100R026
PRODUCTION DATA
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LMG2100R026 在 VCC 和 HB(自舉)電源上均具有 UVLO。當 VCC 電壓低于 3.8V 閾值電壓時,HI 和 LI 輸入均被忽略,以防止 GaN FET 發生部分導通。此外,如果 VCC 電壓不足,則 UVLO 會主動將高側和低側 GaN FET 柵極拉低。當 HB 至 HS 自舉電壓低于 3.2V UVLO 閾值時,僅高側 GaN FET 柵極被拉低。兩個 UVLO 閾值電壓均具有 200mV 遲滯以避免抖動。
| 條件 (VHB – VHS > VHBR) | HI | LI | SW |
|---|---|---|---|
| 器件啟動期間,VCC – VAGND < VCCR | H | L | 高阻態 |
| 器件啟動期間,VCC – VAGND < VCCR | L | H | 高阻態 |
| 器件啟動期間,VCC – VAGND < VCCR | H | H | 高阻態 |
| 器件啟動期間,VCC – VAGND < VCCR | L | L | 高阻態 |
| 器件啟動之后,VCC – VAGND < VCCF | H | L | 高阻態 |
| 器件啟動之后,VCC – VAGND < VCCF | L | H | 高阻態 |
| 器件啟動之后,VCC – VAGND < VCCF | H | H | 高阻態 |
| 器件啟動之后,VCC – VAGND < VCCF | L | L | 高阻態 |
| 條件 (VCC > VCCR) | HI | LI | SW |
|---|---|---|---|
| 器件啟動期間,VHB – VHS < VHBR | H | L | 高阻態 |
| 器件啟動期間,VHB – VHS < VHBR | L | H | PGND |
| 器件啟動期間,VVHB – VHS < VHBR | H | H | PGND |
| 器件啟動期間,VHB – VHS < VHBR | L | L | 高阻態 |
| 器件啟動之后,VHB – VHS < VHBF | H | L | 高阻態 |
| 器件啟動之后,VHB – VHS < VHBF | L | H | PGND |
| 器件啟動之后,VHB – VHS < VHBF | H | H | PGND |
| 器件啟動之后,VHB – VHS < VHBF | L | L | 高阻態 |