ZHCSWR0A July 2024 – October 2024 LMG2100R026
PRODUCTION DATA
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VCC 旁路電容器為低側和高側晶體管提供柵極電荷,并吸收自舉二極管的反向恢復電荷。可通過方程式 1 計算所需的旁路電容。
QG 是高側和低側 GaN FET 的獨立且相等的柵極電荷。QRR 是自舉二極管的反向恢復電荷。ΔV 是旁路電容器上的最大允許壓降。建議使用 0.1μF 或更大值的優質陶瓷電容器。為盡可能減少寄生電感,應將旁路電容器盡可能靠近器件的 VCC 和 AGND 引腳放置。