ZHCSWR0A July 2024 – October 2024 LMG2100R026
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 應(yīng)用
- 3 說明
- 4 引腳配置和功能
- 5 規(guī)格
- 6 參數(shù)測量信息
- 7 詳細(xì)說明
- 8 應(yīng)用和實(shí)施
- 9 器件和文檔支持
- 10修訂歷史記錄
- 11機(jī)械、封裝和可訂購信息
封裝選項(xiàng)
請參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
- VBN|18
- VBN|16
散熱焊盤機(jī)械數(shù)據(jù) (封裝 | 引腳)
訂購信息
6.1 傳播延遲和失配測量
圖 6-1 展示了用于測量傳播失配的典型測試設(shè)置。由于無法訪問柵極驅(qū)動器，因此該測試電路中的上拉和下拉電阻器用于指示低側(cè) GaN FET 何時(shí)導(dǎo)通以及高側(cè) GaN FET 何時(shí)關(guān)閉，反之用于測量 tMON 和 tMOFF 參數(shù)。此電路中用于上拉和下拉電阻器的電阻值約為 1kΩ；使用的電流源為 2A。
圖 6-2 到圖 6-5 展示了傳播延遲測量波形。進(jìn)行導(dǎo)通傳播延遲測量時(shí)，不使用電流源。對于關(guān)斷時(shí)間測量，電流源設(shè)置為 2A，并且還會設(shè)置電壓鉗位限值，稱為 VIN(CLAMP)。測量高側(cè)元件關(guān)斷延遲時(shí)，高側(cè) FET 上的電流源導(dǎo)通，低側(cè) FET 上的電流源關(guān)閉，HI 從高電平轉(zhuǎn)換為低電平，輸出電壓從 VIN 轉(zhuǎn)換為 VIN(CLAMP)。同樣，測量低側(cè)元件關(guān)斷傳播延遲時(shí)，高側(cè)元件電流源關(guān)閉，低側(cè)元件電流源導(dǎo)通，LI 從高電平轉(zhuǎn)換為低電平，輸出從 GND 電位轉(zhuǎn)換為 VIN(CLAMP)。LI 轉(zhuǎn)換和輸出變化之間的時(shí)間差就是傳播延遲時(shí)間。
圖 6-1 傳播延遲和傳播失配測量
圖 6-2 高側(cè)柵極驅(qū)動器導(dǎo)通
| 時(shí)間 |
圖 6-3 低側(cè)柵極驅(qū)動器導(dǎo)通
圖 6-5 低側(cè)柵極驅(qū)動器關(guān)斷