ZHCSWR0A July 2024 – October 2024 LMG2100R026
PRODUCTION DATA
請(qǐng)參考 PDF 數(shù)據(jù)表獲取器件具體的封裝圖。
LMG2100R026 的建議輔助電源電壓范圍為 4.75V 至 5.25V。請(qǐng)注意，低側(cè) GaN FET 的柵極電壓未在內(nèi)部鉗制。因此，務(wù)必要將 VCC 輔助電源保持在建議的工作范圍內(nèi)，以防超過低側(cè) GaN 晶體管柵極擊穿電壓。
UVLO 保護(hù)功能還涉及遲滯功能。這意味著，如果器件在正常模式下運(yùn)行，即使 VCC 電壓下降，只要壓降不超過遲滯規(guī)格 VCC(hyst)，器件就會(huì)繼續(xù)在正常模式下運(yùn)行。如果壓降超過遲滯規(guī)格，器件將關(guān)斷。因此，在 4.5V 或接近 4.5V 范圍內(nèi)運(yùn)行時(shí)，輔助電源輸出端的電壓紋波必須小于 LMG2100R026 的遲滯規(guī)格，以免觸發(fā)器件關(guān)斷。
在 VCC 和 AGND 引腳之間放置本地旁路電容器。該電容器必須盡可能靠近器件。建議使用低 ESR 的陶瓷表面貼裝電容器。TI 建議在 VCC 和 AGND 之間使用 2 個(gè)電容器：一個(gè)是用于高頻濾波的 100nF 陶瓷表面貼裝電容器，放置在非常靠近 VCC 和 AGND 引腳的位置，另一個(gè)是用于滿足 IC 偏置要求的 220nF 至 10μF 表面貼裝電容器。