ZHCSKQ1C May 2019 – December 2024 LMG1025-Q1
PRODUCTION DATA
封裝選項
請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。
機械數據 (封裝 | 引腳)
- DRV|6
- DEE|6
散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)
- DRV|6
訂購信息
7.2.3 應用曲線
LMG1025-Q1 EVM 用于獲取應用波形。該 EVM 具有 LDO、輸入緩沖器、GaN FET 和負載電阻。它展示了在等效半導體激光二極管電流切換時的 LMG1025-Q1 開關性能。圖 7-6 和圖 7-7 顯示了在類似應用的設置中的 VDD 導通和關斷延遲。系統設計人員需要確保這些延遲在其設計中是可以接受的。激光雷達設計需要對激光二極管發射持續時間非常短的脈沖。圖 7-8 展示了 LMG1025-Q1 如何不僅能夠在其輸入端處理納秒脈沖，而且還可以在輸出端產生納秒脈沖，同時驅動具有 3.2nC 典型總柵極電荷的合理尺寸 GaN FET。圖 7-8 還展示了 LMG1025-Q1 非常小的上升和下降傳播延遲，例如小于 3ns。圖 7-9 展示了 LMG1025-Q1 的驅動強度。其中展示了 LMG1025-Q1 如何實現亞納秒級的上升和下降時間，這對于激光雷達應用來說非常重要。
圖 7-6 啟動時間
圖 7-8 輸入脈沖寬度和傳播延遲
圖 7-7 關斷時間
圖 7-9 上升和下降時間