ZHCSKQ1C May 2019 – December 2024 LMG1025-Q1
PRODUCTION DATA
封裝選項
請參考 PDF 數據表獲取器件具體的封裝圖。
機械數據 (封裝 | 引腳)
- DRV|6
- DEE|6
散熱焊盤機械數據 (封裝 | 引腳)
- DRV|6
訂購信息
7.2 典型應用
LMG1025-Q1 設計為配合單個低側接地基準 GaN 或邏輯電平 FET 使用，如圖 7-1 所示。獨立柵極驅動電阻 R1 和 R2 分別用于單獨控制導通和關斷驅動強度。為了實現快速且強力的關斷，可將 R2 短接并將 OUTL 直接連接到晶體管的柵極。為了獲得對稱驅動強度，可以將 OUTH 和 OUTL 短接并使用單個柵極驅動電阻。應該注意確保功率器件柵極上的振鈴或任何柵極驅動器引腳上的振鈴不超過建議額定值。電阻在抑制這些振鈴方面發揮著重要作用。對于柵極驅動器和功率器件而言，柵極電阻的布局和類型也非常重要。
強烈建議在每個 OUTH 和 OUTL 端使用至少 2Ω 的電阻，以避免因電感振鈴而導致電壓過應力。必須確保振鈴低于 VDD+0.3V。
對于需要較小電阻的應用，請聯系工廠尋求指導。
圖 7-1 典型的電路實現