ZHCSKQ1C May 2019 – December 2024 LMG1025-Q1
PRODUCTION DATA
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必須在 VDD 和 GND 引腳之間靠近 IC 的位置連接一個低 ESR/ESL 陶瓷電容，以支持在 FET 導通期間從 VDD 汲取高峰值電流。最好將 VDD 去耦電容與驅(qū)動器放置在 PC 板的同一側(cè)。過孔的電感可能會在 IC 引腳上造成過多的振鈴效應。
TI 建議使用以分流直通方式連接的三端電容，以實現(xiàn)最低的 ESL 和最好的瞬態(tài)性能。此電容可以盡可能靠近 IC 放置，而另一容量更大的電容可以靠近三端電容放置，以便提供足夠的電荷，但帶寬略低。一般做法是，建議使用 0.1μF 0402 或饋通電容（最靠近 LMG1025-Q1）和 1μF 0603 電容組合。