ZHCSKQ1C May 2019 – December 2024 LMG1025-Q1
PRODUCTION DATA
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LMG1025-Q1 的布局對于其性能和功能來說至關重要。LMG1025-Q1 采用 2x2 DFN，使之能夠以低電感連接到 FET。圖 9-1 顯示了具有球柵 GaN FET 的 LMG1025-Q1 建議布局。
需要四層或層數更多的板，以減少布局的寄生電感，實現合適的性能。為了最大限度減小電感和板空間，此處應使用采用 0201 封裝的電阻和電容器。必須計算柵極驅動功率損耗，確保 0201 電阻能夠應對該功率水平。