在存在器件鎖存故障的情況下,DRV8329 會進入部分關斷狀態,以幫助保護外部功率 MOSFET 和系統。
注: 如果用戶希望在鎖存故障事件后將器件置于睡眠狀態,則需要在驅動 nSLEEP 引腳之前將輸入 INHx 和 INLx 拉低。如果輸入 INHx 和 INLx 未被驅動為低電平,則在 nSLEEP 被驅動為低電平達到 tRST 時間后會將故障復位,并且在器件進入睡眠模式之前,柵極驅動器輸出 GHx 和 GLx 上可能會出現脈沖。如果 INHx 和 INLx 未被拉至低電平,則 GHx 和 GLx 上的脈沖持續時間可以為 tSLEEP。