ZHCSQQ0B June 2022 – December 2024 DRV8329
PRODUCTION DATA
如果電機(jī)需要更高的 MOSFET 持續(xù)漏極電流額定值,則可以使用并聯(lián) MOSFET 以提供更高的電流能力。但是,這需要特殊的原理圖和布局設(shè)計(jì)要求來同時(shí)開關(guān)兩個(gè) MOSFET,因?yàn)橛捎诠に嚥町悾粋€(gè) MOSFET 的導(dǎo)通速度可能比另一個(gè) MOSFET 快。
建議將 MOSFET 盡可能彼此靠近放置,同時(shí)使用一個(gè)公共的柵極信號,并在盡可能靠近 MOSFET 柵極處進(jìn)行拆分。如果需要柵極電阻,則計(jì)算等效額定 MOSFET 所需的等效電阻,并將柵極電阻器盡可能靠近 MOSFET 柵極輸入端放置,以抑制到柵極驅(qū)動器的任何耦合問題。
更多相關(guān)信息,請查看驅(qū)動并聯(lián) MOSFET 應(yīng)用簡報(bào)。